IRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.4nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），3.1W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRLL014TRPBF手册
IRLL014TRPBF概述
产品概述：IRLL014TRPBF
IRLL014TRPBF 是一款由 VISHAY（威世）制造的 N 通道 MOSFET（场效应管），它设计用于高效的电源管理和开关应用。这款器件在电子元器件市场中具有出色的性能，广泛适用于各种应用，如电压调节器、DC-DC 转换器、马达驱动及其他需要高效率和低导通电阻的场合。
主要参数
IRLL014TRPBF 的主要参数包括漏源电压（Vdss）为 60V，能够支持较高的输入电压，适合于多种电源电路设计。其连续漏极电流（Id）在 25°C 环境下为 2.7A，这使得该器件在负载较高的应用中依然能保持稳定性。
该器件的最大导通电阻（Rds(on)）为 200 毫欧，适用于 5V 的驱动电压条件下。这一低导通电阻能够显著减少功率损耗，提高电路的效率和可靠性。同时，IRLL014TRPBF 的栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 2V，确保其在较低的栅极电压下便能启动，进一步提升了其在低电压环境中的适用性。
功能特性
IRLL014TRPBF 的输入电容（Ciss）在 25V 时的最大值为 400pF，突出其优越的开关性能，适合快速开关应用。栅极电荷（Qg）最大为 8.4nC，保证了高带宽和低驱动能耗。此外，IRLL014TRPBF 支持的栅极电压范围达到 ±10V，使得其能够与大多数逻辑电平信号兼容。
该 MOSFET 的功率耗散能力也相当出色，在环境温度（Ta）下最大功率耗散为 2W，而在管壳温度（Tc）下可达 3.1W，显示出良好的热管理特性，使其在高负载和高温条件下仍能正常工作。
包装与安装
IRLL014TRPBF 采用 SOT-223 封装，便于表面贴装（SMD），节省了PCB空间并增强了安装灵活性。该封装形式使得 IRLL014TRPBF 在现代电子设备中易于集成，特别是在空间受限的应用情况下提供了便利。
应用场景
该 MOSFET 适合广泛的应用场景，包括：
- 电源管理：广泛用于 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统，以提高能效和减少处理损耗。
- 马达驱动：适用于各类直流电动机与步进电机的驱动控制，以实现更高效的动力传输和控制。
- 信号开关：在多个通道开关及负载开关应用中，可实现快速切换与响应，从而提高控制系统的性能。
结论
IRLL014TRPBF 是一款高效能的 N 通道 MOSFET，凭借其高电压、高电流承载能力以及低导通电阻，成为高效电源管理的理想选择。其优越的开关特性、出色的热性能和表面贴装设计，使其在众多现代电子应用中都表现出色。VISHAY 作为知名的电子元件供应商，提供这一经过严格测试和认证的产品，定能满足工程师在实际应用中的各种需求。对于设计师而言，IRLL014TRPBF 決定了其在性能、可靠性及布局灵活性方面的高度适应性，确保了设计方案的成功实施。