IRLR8743TRPBF
IRLR8743TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 160A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.1 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 59nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4880pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 135W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRLR8743TRPBF手册
IRLR8743TRPBF概述
IRLR8743TRPBF 产品概述
产品类型与基本描述
IRLR8743TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于各种功率电子设备中。该器件由英飞凌（Infineon Technologies）制造，采用 D-Pak（TO-252-3）封装，具有优越的导电性能及散热能力，适用于高电流和高电压的工作场景。
技术参数与性能
在额定值方面，IRLR8743TRPBF 的漏源电压（Vdss）为 30V，在 25°C 下的连续漏极电流（Id）可达到 160A。这使得该器件能够高效地处理较大功率的应用。其驱动电压范围为 4.5V 至 10V，这样的设计允许该 MOSFET 在低栅电压的环境下仍能保持优质表现。
在电气特性方面，IRLR8743TRPBF 展示了出色的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs 为 10V 时，Id 为 25A 下，最大值为 3.1 毫欧。这种低导通电阻意味着器件在正常工作时产生的热量较少，有助于提升系统总体效率并减少冷却需求。
IRLR8743TRPBF 的栅极阈值电压（Vgs(th)）的最大值为 2.35V @ 100µA，意味着它在较低的栅电压下就可以导通。这一特性使得投资于驱动电路的成本可以显著降低。同时，增强型的栅极电荷（Qg）达到 59nC @ 4.5V，进一步支持快速开关操作，降低开关损耗。
散热与环境适应性
在功率耗散方面，该 MOSFET 最高可承受 135W 的功率，这使其能够在高功率转换应用中表现出色。IRLR8743TRPBF 的工作温度范围宽广，从 -55°C 到 175°C，这意味着其可以在严酷的环境下稳定工作，非常适合应用于汽车电子、电源转换器及其他工业设备。
封装与安装
IRLR8743TRPBF 采用 D-Pak 封装，具备良好的热管理能力，便于表面贴装操作（SMD），适用于紧凑型设计和高密度电路板。封装设计的优势在于其能够增强器件的散热能力，确保在高负载条件下长期稳定工作。
应用场景
由于其出色的电气性能与散热能力，IRLR8743TRPBF 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和链路转换器中担当关键的开关器件。
- 汽车电子：电动车的电机驱动控制系统、功率分配和电源管理中。
- 工业控制：用于伺服驱动、变频器和其他电机控制应用。
- 消费电子：适用于便携设备、电池管理系统及其他低功耗应用。
总结
IRLR8743TRPBF 是一款设计精良且性能出色的 N 通道 MOSFET，凭借其高功率处理能力、低导通电阻和宽工作温度范围，适用于各种高效能和高电流应用。从电源管理到汽车电子，这款 MOSFET 能够满足现代电子设备日益增长的性能要求。无论是对系统效率的需求还是对环境适应性的挑战，IRLR8743TRPBF 都天生具备应对的能力，是设计师在选择高性能开关元件时的优质选择。