BSP149H6327XTSA1
BSP149H6327XTSA1参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 660mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 0V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 660mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 400µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 430pF @ 25V |
| FET 功能 | 耗尽模式 | 功率耗散（最大值） | 1.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
BSP149H6327XTSA1手册
BSP149H6327XTSA1概述
产品概述：BSP149H6327XTSA1
一、产品简介
BSP149H6327XTSA1是一款由英飞凌（Infineon）公司制造的N通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于耗尽模式（Depletion Mode）器件。这款MOSFET具有优越的性能表现和广泛的应用场景，适合用于需要高压和高温工作的电子设备。BSP149H6327XTSA1在设计上注重了降耗和提升系统稳定性，特别适合在汽车及其他高要求的领域中使用。
二、关键参数
- FET类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：200V
- 25°C时连续漏极电流（Id）：660mA
- 驱动电压：0V至10V（可调）
- 导通电阻（Rds On）：最大1.8Ω（在660mA，10V时）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最大1V（在400µA时）
- 栅极电荷（Qg）：最大14nC（在5V时）
- 最大栅源电压（Vgs）：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大430pF（在25V时）
- 功率耗散：最大1.8W
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 封装类型：表面贴装型（PG-SOT223-4）
这些参数表明，BSP149H6327XTSA1具备在苛刻环境中稳定工作的能力，适合高压和高电流的应用，能够有效满足电源管理和保护需求。
三、应用领域
BSP149H6327XTSA1的应用范围广泛，主要包括但不限于以下几个方面：
电源启动电源：由于其独特的耗尽模式特性，BSP149H6327XTSA1非常适合用于电源启动电路，能够有效控制初始电流并确保电源顺利启动。
过电压保护：在这种应用中，该MOSFET能够快速响应并保护电路免受瞬时过电压的损害，保障设备的安全。
突入电流限制器：该器件能够在突发高电流情况下限制电流，保护下游组件，避免因瞬时电流过大而导致的损坏。
离线电压参考：凭借其稳定的工作参数，BSP149H6327XTSA1可以被用作精确的离线电压基准源，提高整体电路的稳定性和可靠性。
简单电流调节器：该MOSFET能够非常简单地与其他电子元件组合，实现电流的调节，广泛适用于各种电源和信号调节电路。
四、设计和封装
BSP149H6327XTSA1采用PG-SOT223-4封装，适合表面贴装，使其在现代电子设备中具备更强的兼容性。其紧凑的尺寸设计不仅节省了电路板空间，也方便了自动化生产线的高速贴装。
五、总结
作为一款高性能耗尽模式MOSFET，BSP149H6327XTSA1具有200V的漏源电压和660mA的连续漏极电流能力，结合宽广的工作温度范围和卓越的可靠性，使其在电源管理、过电压保护和其他关键应用中表现出色。英飞凌的这一产品凭借其丰富的应用前景和稳定的性能，成为行业内值得信赖的选择。对于设计工程师而言，BSP149H6327XTSA1是一种理想的解决方案，能够在多种应用场合中提供卓越的性能。