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SI8499DB-T2-E1
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
6-Micro Foot™（1.5x1）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
Si8499DB Series P-Channel 20 V 32 mOhm Surface Mount Power Mosfet - MICRO FOOT
库存 :
2636(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
1.72按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.72
--
100+
￥1.37
--
750+
￥1.22
--
1500+
￥1.15
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI8499DB-T2-E1参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 32 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 2.77W（Ta），13W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-Micro Foot™（1.5x1） |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA |
SI8499DB-T2-E1手册
无数据
SI8499DB-T2-E1概述
SI8499DB-T2-E1 产品概述
概述
SI8499DB-T2-E1 是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 P 通道 MOSFET，专为各种电源管理和开关应用而设计。其优异的电气特性和高工作温度范围使其广泛适用于消费电子、工业设备和汽车领域。本产品采用了创新的 6-Micro Foot™（1.5x1）封装，具有极小的占板面积，非常适合现代电子设备对紧凑设计的要求。
主要特性
- FET 类型：作为 P 通道 MOSFET，SI8499DB 提供了高效的开关控制能力，适用于各种负载的开关调节。
- 漏源电压（Vdss）: 最高可承受 20V 的漏源电压，使其在低压应用中表现稳定且可靠。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，SI8499DB 的最大连续漏极电流达到 16A（Tc），对于需要高电流承载能力的应用非常有效。
- 导通电阻: 最小导通电阻 (Rds(on)) 在 1.5A 和 4.5V 条件下达到 32 mΩ，确保了其在数据传输和功率管理过程中的效率。
- 栅极电压 (Vgs): 该 MOSFET 的栅极源电压（Vgs）承受范围为 ±12V，适合多种控制信号应用。
- 热性能: 功率耗散能力高达 13W（Tc）和 2.77W（Ta），使其在散热管理方面具备良好的性能，可以在较高温度下稳定工作。
- 工作温度范围: 该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），使其在极端环境下依然能够确保可靠性。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 1300pF（@ 10V），在快速开关应用中能够有效降低开关损耗。
- 栅极电荷 (Qg): 在 5V 栅电压情况下，栅极电荷最大值为 30nC，有效提高了开关速度，减少了驱动电流需求。
应用领域
SI8499DB的设计使其非常适合于以下应用领域：
- 低电压和中等电流的电源切换
- 负载开关控制
- 逆变器
- DC-DC 转换器
- 线性和开关调节器
这种 MOSFET 的高效性能以及广泛的应用范围，使其成为电子工程师在设计各种电源和开关电路时的首选元件。
封装与安装
SI8499DB 采用 6-Micro Foot™（1.5x1）表面贴装封装，极为紧凑，适合高集成度设计要求的现代电子设备。此封装形式不仅提供了较低的热阻并提高了电流承载能力，还可降低系统的整体体积，适合应用于空间有限的电源管理系统。
结论
总之，Vishay SI8499DB-T2-E1是一款先进、可靠且高效的P通道MOSFET，具有卓越的性能参数和广泛的应用前景。其设计特别考虑了现代电子设备对高能效和小体积的需求，尤其是对高频、高效率电源解决方案的关注。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子领域，SI8499DB都能够为设计工程师提供极大的便利与支持。