DMN6040SSDQ-13
DMN6040SSDQ-13参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.4nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1287pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
DMN6040SSDQ-13手册
DMN6040SSDQ-13概述
DMN6040SSDQ-13 产品概述
DMN6040SSDQ-13是一款高性能N沟道场效应晶体管（MOSFET），由DIODES（美台）公司制造，专为各种电子应用和电源管理设计。其在效率、功率和热性能方面的优越特性，使其成为电源转换、开关电源、马达驱动器以及其他需要高可靠性和高性能的电子电路中的理想选择。
主要特性
结构与功能: DMN6040SSDQ-13是双N-channel FET，大幅度提高了电路的设计灵活性同时降低了整体组件数量，适用于电流开关和电流放大等多种应用场景。
电压和电流等级: 该MOSFET的漏源电压（Vdss）达到60V，允许其在较高电压环境中运行，具备相当的抗压能力。同时，其在25°C时的连续漏极电流（Id）最高可达5A，为负载驱动提供了足够的电流支持。
导通电阻与热性能: 在最大5A电流情况下，DMN6040SSDQ-13的导通电阻（RDS(on)）可低至40毫欧，提供优秀的导通性能，从而降低功耗并提高整体效率。此外，最大功率可达1.3W，广泛适用于高功率密度应用，确保长时间稳定运行。
阈值电压与栅极性能: 这款器件的栅源阈值电压（Vgs(th)）在最大3V（@250µA）时具有良好的开关特性，且其栅极电荷（Qg）在10V时为22.4nC，证实其在高频开关应用中的优越响应能力，有助于实现高效的开关状态转变。
输入电容: 该MOSFET还拥有1287pF的输入电容（Ciss@25V），确保在高频操作下电气稳定性，有利于快速响应的设计需求，适合高频 PWM 控制技术。
环境适用性: DMN6040SSDQ-13的工作温度范围为-55°C至150°C，保障了其在极端环境下的可靠性，尤其适合航天、军事及工业自动化等严苛条件中的应用。
封装与热管理: 该产品采用了表面贴装型(SSO-8)封装设计，尺寸为8-SOIC（宽度3.90mm），确保其在板设计上的紧凑性，并提供良好的散热性能，以适应高电流应用中产生的热量。
应用领域
DMN6040SSDQ-13广泛应用于电源管理技术、电动马达控制、LED驱动、电池管理系统以及开关电源等领域。其高效、稳定的性能使其成为现代电子产品中不可或缺的组件之一。
总结
总的来说，DMN6040SSDQ-13是一款集高电压、高电流、低导通电阻和广泛工作温度于一体的N-channel MOSFET。凭借其独特的设计特性和高性能，DMN6040SSDQ-13能够满足各种高效电源和信号管理的需求，适用于多种电气和电子应用，无疑将为设计工程师提供更多的灵活性和高可靠性的选择。