DTC643TKT146 产品实物图片
DTC643TKT146 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DTC643TKT146

商品编码: BM0020306943
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SMT3
包装 : 
编带
重量 : 
0.031g
描述 : 
数字晶体管 200mW 20V 600mA 1个NPN-预偏置 SC-59
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.523
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.523
--
200+
¥0.338
--
1500+
¥0.294
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DTC643TKT146参数

晶体管类型NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)600mA
电压 - 集射极击穿(最大值)20V电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)820 @ 50mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁150MHz
功率 - 最大值200mW安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装SMT3

DTC643TKT146手册

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DTC643TKT146概述

产品概述:DTC643TKT146 数字晶体管

1. 产品简介

DTC643TKT146是一款高性能NPN数字晶体管,由知名电子元器件制造商ROHM(罗姆)生产。该器件采用表面贴装(SMD)型封装,适用于高密度电路板设计。它的额定功率为200mW,最大集电极电流(Ic)达到600mA,能够在多种电子应用中提供卓越的性能。除此之外,其集射极击穿电压(Vce)为20V,使得该晶体管在各种中低电压应用中表现出色。

2. 基本参数和关键特性

  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 最大集电极电流(Ic):600mA
  • 最大集射极击穿电压(Vce):20V
  • 基极电阻(R1):4.7 kΩ
  • 最小直流电流增益(hFE):820 @ 50mA,5V
  • 饱和压降(Vce(sat)):150mV @ 2.5mA,50mA
  • 集电极截止电流(ICBO):500nA
  • 工作频率:150MHz
  • 最大功率:200mW
  • 封装类型:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SMT3

3. 应用场景

DTC643TKT146因其高增益、高频率和良好的电流处理能力,广泛应用于数字电路和模拟电路设计,尤其是在下列场景中:

  • 信号放大:由于其高直流电流增益,该晶体管能够有效放大微弱信号,适用于音频信号放大器和无线通信模块。
  • 开关控制:其饱和压降和集电极电流使其非常适合用于电源开关、LED驱动电路以及其他需要数字开关控制的应用。
  • 高频应用:凭借150MHz的跃迁频率,DTC643TKT146适用于射频(RF)放大、调制解调和高速数据传输电路。
  • 时序电路:在各类数字时钟和计时器中,DTC643TKT146能够用于生成时间延迟和计数脉冲信号。

4. 性能优势

与传统晶体管相比,DTC643TKT146具有以下显著优势:

  • 超高增益:其DC电流增益 hFE 在 50mA 输出时高达 820,这为电路设计提供了更大的灵活性和稳定性。
  • 低饱和压降:较小的饱和压降(150mV)意味着在开关操作中能够更有效地利用电源,降低功耗。
  • 小型封装:采用SC-59、SOT-23和TO-236等小型化封装,便于在紧凑型设备中安装,有利于整体电路的小型化和集成化设计。
  • 极低的集电极截止电流:仅500nA的ICBO降低了功耗,特别适合于对电池寿命要求较高的移动设备中。

5. 结论

DTC643TKT146是一款性能卓越、功能多样的NPN数字晶体管,适合于现代电子设备的多种应用。其高增益、低功耗和出色的开关性能,使它成为设计各种信号处理和开关电路的理想选择。无论是在通信系统、消费电子,还是工业控制设备中,DTC643TKT146都能提供可靠的性能,并满足日益严苛的设计需求。ROHM公司凭借其优质的制造工艺和严格的品质控制,确保每一颗DTC643TKT146都有着优良的性能和高度的可信赖性,是电子工程师的首选器件之一。