注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NTR4003NT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-23-3
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 690mW 30V 500mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
25694(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.389按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.389
--
200+
￥0.251
--
1500+
￥0.218
--
3000+
￥0.193
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NTR4003NT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 690mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.15nC @ 5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 21pF @ 5V |
| 基本产品编号 | NTR400 |
NTR4003NT1G手册
无数据
NTR4003NT1G概述
产品概述：NTR4003NT1G N通道MOSFET
一、产品简介
NTR4003NT1G是由ON Semiconductor制造的一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），设计用于多种电子应用。该器件具备小巧的SOT-23-3封装，适合表面贴装，使其在空间受限和要求低功耗的电路设计中表现优越。
二、主要特性
- 高功率处理能力：NTR4003NT1G最大功率耗散为690mW，在温度为25°C的环境中，能够可靠操作。
- 适用电压和电流：它的漏源电压（Vds）最高可达30V，能够支持最多500mA的连续漏极电流（Id），使其适用于各种中小功率的开关和放大应用。
- 低导通电阻：该器件在4V Vgs（栅极-源极电压）条件下，导通电阻的最大值为1.5欧姆，低导通电阻特性可使其在高频应用中提供更高的效率与响应速度。
- 宽工作温度范围：NTR4003NT1G的工作温度范围为-55°C至150°C，能够在极端环境下正常工作，适合航空航天、汽车和工业控制等领域的应用。
- 低阈值电压：该MOSFET的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.4V，意味着它可以在较低栅源电压下开始导通，适用于微控制器和低压电路的直接驱动。
三、封装与外形
采用SOT-23-3封装，使NTR4003NT1G具有节省空间、方便安置的显著优势。这一封装形式广泛应用于电子设备中，特别是在对空间要求严格的小型电子产品中。其小巧且轻便的特点使其易于集成进各种电路板设计中，从而减小整体电子产品的体积和重量。
四、应用领域
NTR4003NT1G广泛应用于许多现代电子产品的电源管理、电机驱动、信号开关和放大等领域，其主要应用包括但不限于：
- 无线通讯设备：该MOSFET能够在手机、无线发射和接收装置中用作开关元件，确保高效信号切换。
- 便携式电源：由于其低导通电阻和高效率，NTR4003NT1G可用于便携设备的电源管理，延长电池使用寿命。
- 汽车电子：在汽车电子系统中，这款MOSFET也是自动化、控制模块及传感器的常用元件。
- LED驱动电路：在LED照明系统中，NTR4003NT1G适合作为驱动和开关任务，提高系统功率效率。
- 工业控制系统：凭借其高耐温和高功率处理能力，在工业自动化中，NTR4003NT1G可以可靠地执行开关任务。
五、结论
综上所述，NTR4003NT1G是ON Semiconductor推出的一款高性能N通道MOSFET，具有众多优异特性，适合于广泛的应用场景。凭借其小巧的封装、高效的性能以及宽广的工作温度范围，NTR4003NT1G将在众多电子设备和系统中发挥重要作用，为设计师和工程师提供一个可靠的解决方案。如果您在寻找一款可以满足高效、低功耗、环境适应性强的MOSFET时，NTR4003NT1G无疑是一个值得考虑的优秀选择。