CRST040N10N 产品实物图片
CRST040N10N 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CRST040N10N

商品编码: BM0019130426
品牌 : 
CRMICRO(华润微)
封装 : 
TO-220
包装 : 
袋装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 227W 100V 120A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
4.12
按整 :
袋(1袋有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥4.12
--
100+
¥3.3
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

CRST040N10N参数

功率(Pd)227W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)4mΩ@10V,50A漏源电压(Vdss)100V
类型1个N沟道连续漏极电流(Id)120A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

CRST040N10N手册

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CRST040N10N概述

CRST040N10N 产品概述

产品简介

CRST040N10N 是一款由华润微(CRMICRO)生产的高性能 N 沟道场效应管(MOSFET)。其主要特性包括:227W 的功率处理能力、100V 的击穿电压和 120A 的连续导通电流,且采用广泛应用的 TO-220 封装形式。这些特性使得 CRST040N10N 成为电源管理、开关电源、马达驱动等多种应用领域的理想选择。

主要参数

  • 功率处理能力:227W
  • 击穿电压:100V
  • 持续通流:120A
  • 封装类型:TO-220
  • N 沟道:适合用于高效的电源开关方案

性能特点

  1. 高效率:CRST040N10N 提供优秀的导通电阻(R_DS(on)),在进行大电流开关操作时,能够显著降低功耗,提高整体电路效率。这对于可再生能源、电池管理系统及高效电源设计至关重要。

  2. 高击穿电压:100V 的击穿电压使得该 MOSFET 在高压应用中表现出色,能够有效地减少在开关过程中发生的电压尖峰,降低过压风险,确保系统稳定运行。

  3. 强大的电流能力:120A 的持续电流使得 CRST040N10N 适用于需要大量电流输送的应用,例如电动汽车驱动系统和高功率电源模块。

  4. 卓越的热性能:TO-220 封装提供了良好的散热性能,帮助器件在高功率工作条件下保持稳定的温度,以确保其操作稳定性和延长使用寿命。

  5. 驱动特性:与许多其它 MOSFET 相比,CRST040N10N 的栅极驱动需求相对较低,这意味着它可以与多种控制电路兼容,也使得电路设计更加简洁、可靠。

应用场景

CRST040N10N 的广泛适用性使其能够融入众多应用场景,具体包括:

  • 开关电源(SMPS):在电源转换器中作为开关器件,高效地控制能量流动,降低电源损耗。

  • 电机控制:用于电动机驱动系统,提供高电流并增强驱动性能,广泛应用于工业自动化、机器人及电动车辆。

  • DC-DC 转换器:作为自适应控制中的核心元件,提高转换效率,降低能源消耗。

  • 电池管理系统:在各种充放电管理方案中,实现高效的电流控制,保障电池的安全和高效运行。

竞争优势

在众多的 MOSFET 选项中,CRST040N10N 的高效能和稳定性使其成为市场上颇具竞争力的产品。相对较低的导通电阻和高电流承载能力,不仅提升了系统效率,还帮助客户降低了系统的总体成本。

结论

总的来说,CRST040N10N 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适合高功率的电子产品和系统。其出色的电气特性与热管理能力,使得这款元件在现代电子设计中不可或缺,是实现高效能和高可靠性的理想选择。随着市场对高效能电源组件的需求不断增长,CRST040N10N 有望在未来的科技发展中发挥更重要的作用。