EMX2T2R
EMX2T2R参数
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 不適用於新設計 | 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V | 功率 - 最大值 | 150mW |
| 频率 - 跃迁 | 180MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商器件封装 | EMT6 | 基本产品编号 | *MX2 |
EMX2T2R手册
EMX2T2R概述
产品概述：EMX2T2R (ROHM Semiconductor)
一、产品背景
EMX2T2R 是 ROHM Semiconductor 公司推出的一款双 NPN 晶体管（BJT），专为多种电子应用设计。凭借其卓越的电气性能和高可靠性，该器件在行业内的应用前景广泛，包括但不限于开关电路、放大器和信号处理等领域。此外，EMX2T2R 的小型封装设计使其适合于空间受限的应用场合，如消费电子、便携设备及工业控制。
二、主要技术参数
- 制造商: ROHM Semiconductor
- 器件类型: 三极管 (BJT)
- 封装: SOT-563 (EMT6)
- 电流 - 集电极 (Ic): 最大150mA
- 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大50V
- 饱和压降 (Vce(sat)):
- 400mV @ 5mA
- 400mV @ 50mA
- 电流 - 集电极截止 (ICBO): 最大100nA
- DC电流增益 (hFE): 最小120 @ 1mA，6V
- 最大功率 (Pmax): 150mW
- 频率 - 跃迁 (fT): 180MHz
- 工作温度 (TJ): 可达150°C
- 安装类型: 表面贴装 (SMD)
三、性能特点
EMX2T2R 的设计旨在满足高频、高功率和高效能电路的需求。以下是其一些核心性能特点：
高工作频率: 产品达到180MHz的跃迁频率，适合用于高速信号处理和射频应用。
低饱和压降: 在接近满载情况下维持仅400mV的饱和压降（Vce），降低功率损耗，增加电路的效率。
高电流增益: 最小hFE为120，确保在小信号输入情况下依然可以获得较高的输出，提高了电路的增益性能。
低集电极截止电流: 仅为100nA，帮助设计更灵敏、低噪声的放大电路。
宽工作温度范围: 高达150°C的工作温度，使其在极端环境下依然保持稳定，适合要求苛刻的工业应用。
四、应用场景
EMX2T2R 的特性使其非常适合多种电子应用，关键应用领域包括：
开关电路: 由于其高耐压和较大的集电极电流能力，EMX2T2R 可以用于驱动和控制负载的开关电路，尤其是在电源管理和LED驱动中表现优异。
放大器: 在音频和射频应用中，EMX2T2R 可以用作信号放大器，确保信号放大时信号完整性和散热性能。
信号处理: 它的高工作频率特别适合处理高速信号，广泛应用于数字电路和通信设备。
消费电子: 在智能手机、便携式音响、家电等日益小型化的产品中，EMX2T2R 的小型封装设计使其成为理想选择。
工业控制系统: 其宽工作温度和高稳定性使其非常适合用于各种工业自动化设备中。
五、总结
EMX2T2R 是 ROHM Semiconductor 提供的一款高性能双 NPN 晶体管，结合优良的电气特性和稳定的工作环境适应性，能够满足现代电子设备对高效能、高可靠性器件的需求。无论是在高频开关、信号放大还是低功耗电路中，EMX2T2R 都表现出色，预示着其在未来电子应用中广泛的应用潜力与市场价值。通过合理的选型与应用，EMX2T2R 将为设计工程师提供优质的解决方案，实现创新和高效能的电子设计目标。