PZT2222AT1G
PZT2222AT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 10nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V | 频率 - 跃迁 | 300MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 功率 - 最大值 | 1.5W | 基本产品编号 | PZT222 |
PZT2222AT1G手册
PZT2222AT1G概述
PZT2222AT1G 产品概述
PZT2222AT1G 是由知名半导体制造商 ON Semiconductor 提供的一款 NPN 型三极管，专为各种电子应用而设计。该设备具有广泛的适用性，适合用于信号放大、开关电源和其他通用电路设计。凭借其可靠的性能和高度的集成度，PZT2222AT1G 成为工程师和设计师在开发电路时的优选元件之一。
主要规格
PZT2222AT1G 的关键参数使其在高频、低功耗应用中表现出色。它的最大集电极电流（Ic）为600mA，适合驱动多种负载。其集射极击穿电压（Vce）最高可达40V，确保在高压电路中能够稳定工作。此外，该三极管的功率损耗上限为1.5W，使其在设计中具有良好的热管理性能。
在频率方面，PZT2222AT1G 拥有最高300MHz 的跃迁频率，使其适用于高频应用，尤其是在射频（RF）信号处理和无线通信领域。其直流电流增益（hFE）的最小值为100（在Ic为150mA时，Vce为10V），表明该元件在常规工作条件下能够提供优良的增益特性。
结构与封装
PZT2222AT1G 采用 SOT-223 封装，尺寸小巧，适合于表面贴装技术（SMT）。这种封装方式增加了安装的灵活性，便于在空间有限的电路板上实现 densely populated layout。此外，SOT-223 的设计有助于提高散热效率，降低由于功率损耗带来的热量积聚，从而延长元件的使用寿命。
该三极管的工作温度范围为 -65°C 到 150°C，能够在各种极端环境下稳定工作。这使得 PZT2222AT1G 特别适合于汽车电子、航空航天、工业控制及其他对温度敏感的应用场景。
应用领域
开关电路： PZT2222AT1G 由于其出色的开关特性，常被广泛应用于电源开关设计中，能够快速切换电源状态，以提高系统的能效。
信号放大： 在音频与视频放大器及 RF 放大器中，PZT2222AT1G 的高增益特性可有效提高信号的处理性能，提供更好的音质和图像质量。
射频应用： 由于其高跃迁频率，该三极管在射频及微波集成电路中表现优异，适合用于无线通讯设备、天线及信号处理模块。
电机驱动： 在多种电机控制方案中，PZT2222AT1G 的高电流承载能力使其成为有效的驱动元件。
结论
PZT2222AT1G 是一款多功能、高性能的 NPN 型三极管，凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，成为电气和电子设计中的热门选择。它的紧凑封装与多种应用场景相结合，进一步提升了其在现代设计中的重要性。
无论是开关电源、电机控制，还是信号放大，PZT2222AT1G 都能够稳定地为各种电路提供支持。工程师和设计师在构建复杂系统时，可以放心地选择 PZT2222AT1G，凭借其可靠性能与优越品质，确保最终产品的卓越表现。