IRF620STRLPBF
IRF620STRLPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 800 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 260pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），50W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF620STRLPBF手册
IRF620STRLPBF概述
产品概述：IRF620STRLPBF N 通道 MOSFET
一、产品简介
IRF620STRLPBF 是 VISHAY（威世）出品的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。其设计目的是为了满足高压、大电流应用的需求，该器件可广泛应用于电源管理、开关电源、马达驱动等多个领域。IRF620STRLPBF 具备较高的功率处理能力和低导通电阻，是当前市场上众多 FETs 中的一款可靠且效率高的解决方案。
二、技术参数
FET 类型与技术：
- N 通道 MOSFET：适合高电压和高电流的开关应用。
- 制造技术为金属氧化物 (MOSFET)，使其具有较高的开关速度和良好的热行为。
电气特性：
- 漏源电压（Vdss）： 最高可达 200V，使其能够处理较高的直流电压，适合多种工业应用。
- 连续漏极电流（Id）： 在 25°C 时可达 5.2A（Tc），提供稳定的电流输出。
- 驱动电压: 该器件在导通时需要的驱动电压最大为 10V，有助于降低被驱动电路的复杂性。
导通电阻（Rds On）：
- 在 10V 驱动下，对于电流 3.1A，其最大导通电阻为 800 毫欧，保证了低能量损耗和高效率。
阈值电压（Vgs(th)）：
- 在 250µA 测试下最大阈值电压为 4V，表明其适合标准的低电压驱动。
输入电容（Ciss）：
- 在 25V 下其最大输入电容为 260pF，确保较快的开关速度。
温度规格：
- 工作温度范围广泛，-55°C 至 150°C（TJ），适合多种苛刻环境。
功率耗散能力：
- 该器件在环境温度下最大可耗散 3W，而在结温下最大可耗散 50W，使其具备良好的散热能力。
三、封装与安装
IRF620STRLPBF 采用 TO-263-3 封装（D²Pak），为表面贴装型设计，这种封装形式在自动化组装中表现出色。其小型化特点也有利于节省电路板空间，提高产品整体集成度。
四、应用领域
IRF620STRLPBF MOSFET 可以广泛应用于以下几个方面：
开关电源： 该 MOSFET 适用于开关电源、电源转换器等设备中，能够有效降低传输损耗，提高电源效率。
电机驱动： IRF620STRLPBF 的高电流处理能力使其成为电机驱动应用中的理想选择，能够控制直流电机和步进电机的运行。
电流开关： 在低压电流开关、继电器替代等方面，均能实现快速、稳定的切换。
汽车电子： 由于其优良的热稳定性，该 MOSFET 也可用于汽车电池管理系统和高功率应用。
五、总结
总之，IRF620STRLPBF 是一款高规格的 N 通道 MOSFET，具备200V的高漏源电压和5.2A的高电流能力，结合其低导通电阻和宽广的工作温度范围，使其成为高效、可靠的电子元器件选择。无论是在工业、消费或汽车电子产品中，IRF620STRLPBF 都将为设计提供极大的灵活性和高性能支持。通过合理选用和充分发挥该元件的特性，设计师能够实现更加高效和创新的电路解决方案。