PSMN4R2-30MLDX
PSMN4R2-30MLDX参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 1mA | Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（体） | 功率耗散（最大值） | 65W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK33 | 封装/外壳 | SOT-1210，8-LFPAK33 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29.3nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1795pF @ 15V |
PSMN4R2-30MLDX手册
PSMN4R2-30MLDX概述
PSMN4R2-30MLDX 产品概述
PSMN4R2-30MLDX 是一款高性能的N沟道MOSFET，制造商为Nexperia USA Inc.，该产品专为各种高效能电源管理和开关应用而设计。由于其优秀的电气特性和宽泛的工作温度范围，PSMN4R2-30MLDX 成为许多电子电路设计中的理想选择。
1. 基本参数与特性
- 制造商: Nexperia USA Inc.
- 器件类型: N通道MOSFET，具备高效能的金属氧化物场效应晶体管特性。
- 额定电流: 在25°C时，连续漏极电流（Id）可达70A（Tc），允许在多种应用中承载高负载。
- 漏源电压: 最大漏源电压（Vdss）为30V，适合中低电压应用。
该MOSFET的优秀特性使其在电源转换、马达驱动和其他开关应用中具备卓越性能。
2. 导通电阻和驱动电压
PSMN4R2-30MLDX在不同Id和Vgs条件下展现出了出色的导通电阻性能。在10V的栅极驱动电压下，在25A电流情况下，最大导通电阻（Rds(on)）为4.3毫欧。这一特性使得该MOSFET在高电流应用中可以显著减少功率损耗，提高系统整体效率。
此外，在栅极电压（Vgs）为4.5V至10V的范围内，器件能够保持高效能的导通性能，确保在多种工作条件下的可靠性和稳定性。
3. 工作温度与功率耗散
PSMN4R2-30MLDX的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适合在极端环境下运行。同时，最大功率耗散（Pd）为65W（Tc），这提示用户在设计散热和系统管理时应考虑的输出功率。高功率承载能力与宽温范围，让该MOSFET在严苛条件的工业应用中仍能稳定运行。
4. 封装和安装
该MOSFET采用了LFPAK33封装类型，尺寸为SOT-1210，8-LFPAK33，适合表面贴装技术( SMT )，在空间有限的电子设备中提供良好的布局灵活性。卷带包装（TR）适合自动化生产，提高生产效率。
5. 电气性能与应用
PSMN4R2-30MLDX具有较低的栅极电荷（Qg），最大值为29.3nC（在10V时），这一特性提高了开关速度，减少了驱动功耗，适用于高频率操作的应用。此外，在15V的条件下，其输入电容（Ciss）最大为1795pF，进一步优化了控制信号的响应速度。
由于其优秀的电气特性，PSMN4R2-30MLDX广泛应用于多种电子产品中，如：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC变换器
- 电池管理系统
- 马达驱动和控制
其他要求高效率和高电流管理的应用场景均可使用本产品。
6. 总结
总之，PSMN4R2-30MLDX是一款功能强大的N沟道MOSFET，凭借其高负载能力、低导通电阻、宽温适应性和出色的开关性能，为电子设计工程师提供了极大的便利。无论是用于电源转换、驱动电机还是进行其他高效能开关控制，PSMN4R2-30MLDX都是一个值得考虑的优先选择。 작