MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D参数
| 存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | DRAM |
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 存储容量 | 32Gb（1G x 32） |
| 时钟频率 | 2133MHz | 电压 - 供电 | 1.1V |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 200-VFBGA | 供应商器件封装 | 200-VFBGA（10x14.5） |
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D手册
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D概述
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D 产品概述
产品简介
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D是Micron（镁光）公司生产的一款高性能移动DDR4随机存取存储器（DRAM）。此款存储器采用了最新的移动LPDDR4技术，拥有32Gb的存储容量，规格为1G x 32。凭借其高频率、低功耗和小型封装，MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D在移动应用中表现出色，广泛适用于智能手机、平板电脑以及其他便携式设备。
主要特性
存储器类型与技术：
- 类型：易失性存储器（DRAM）。
- 技术：采用SDRAM移动LPDDR4技术，具备高速数据传输和高性能运行能力。
存储容量：
- 32Gb（1G x 32），满足现代多媒体和高性能应用对存储容量的需求。
时钟频率：
- 2133MHz，提供快速的数据读取和写入速度，是流畅应用和游戏体验的保证。
电压与功耗：
- 供电电压为1.1V，较低的工作电压有助于延长便携设备的电池寿命，减少能耗，提升整体能效。
工作温度范围：
- -40°C ~ 105°C（TA），无论在严谨的工业环境还是高温高湿的气候条件下，MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D均能保持稳定性能，适应各种苛刻的工作环境。
封装和安装类型：
- 封装形式为200-VFBGA（10x14.5mm），采用表面贴装（SMD）类型，适合自动化生产和小型化设计要求。
应用场景
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D特别适合以下应用场景：
智能手机：随着高清显示和复杂应用程序的普及，移动设备对存储器的要求不断提高。该产品能有效支持游戏、视频播放和多任务处理。
平板电脑：移动LPDDR4技术使得此款存储器在电量与性能之间达到了良好的平衡，保证用户在长时间使用平板电脑时不会因性能不足而影响体验。
嵌入式设备：在物联网（IoT）设备和智能家居产品中，也可通过其宽工作温度范围和高稳定性来满足智能功能的需求。
汽车电子：因其优越的温度耐受范围，此款DRAM亦适用于汽车电子系统，如高级驾驶辅助系统（ADAS），为驾驶者提供实时数据处理。
竞争优势
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D凭借其高性能、高容错率和低功耗，充分展现了Micron在存储解决方案领域的竞争优势。与同类产品相比，其高时钟频率和优异的工作温度范围为多种极端应用提供了保障。此外，Micron作为行业领先的存储解决方案提供商，具备强大的技术支持和产品质量保证。
结论
MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D是一款集高效能与低功耗于一体的移动LPDDR4 DRAM，广泛适用于各种便携式电子设备。其卓越的性能和高可靠性使其成为现代科技行业中不可或缺的重要元器件。随着移动设备需求的不断进步和发展，MT53D1024M32D4DT-046 AAT:D定将在未来的市场中扮演更加重要的角色。