IRF200P222

IRF200P222 产品概述

产品简介

IRF200P222是一款高性能的N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名品牌Infineon（英飞凌）制造。该器件专为高功率应用而设计，具有优异的电气性能和极高的可靠性，是电源管理、变频器、马达驱动等领域的重要选择。

基本参数

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压 (Vdss): 200V
• 连续漏极电流 (Id): 182A（在集热器温度Tc下）
• 驱动电压: 最大导通电阻（Rds On）在10V时的最小值
• 导通电阻 (Rds On): 最大值为6.6 毫欧 @ 82A，10V
• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为4V @ 270µA，提供稳定的开关控制
• 栅极电荷 (Qg): 最大值为203nC @ 10V，确保快速开关速度
• 栅极源电压 (Vgs): 最大值为±20V，以适应各种驱动电路
• 输入电容 (Ciss): 最大值为9820pF @ 50V，提供良好的高频性能
• 功率耗散: 最大值为556W（在集热器温度Tc下）
• 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ），确保在严格环境下的可靠性
• 安装类型: 通孔
• 封装类型: TO-247AC，便于散热和安装

应用场景

IRF200P222的设计使其适用于多种高功率应用，如：

1. 电源转换器：在开关电源（SMPS）中充当主要开关管，支持高效能量转换，降低功率损耗。
2. 马达驱动：在电动马达、伺服系统及其他驱动机构中提供高电流和高电压供电，能够快速响应输入信号，保证马达的高效运转。
3. 变频器：在可再生能源如太阳能和风能的逆变器中，IRF200P222凭借其高电压和高电流承载能力，能够有效处理变频信号。
4. 高频应用：由于其较低的导通电阻和栅极电荷，适合在电力电子产品中实现高频开关操作，提高开关速度，从而提升系统效率。

性能优势

IRF200P222提供了一系列显著的性能优势：

• 高功率处理能力：最大556W的功率耗散能力为复杂电路设计提供了极大的灵活性，适用于多种工业应用。
• 优异的热性能：能够在高达175°C的环境温度下稳定工作，适合在恶劣工业环境中应用。
• 低导通电阻：最小导通电阻为6.6 毫欧，大大降低了在运行过程中的能量损耗，保持系统的高效率。
• 高速开关响应：栅极电荷为203nC @ 10V，表示其在高频应用中的优越性能，能够实现更快速的开关事件，降低开关损耗。

封装与安装

该器件采用TO-247AC封装，通孔设计方便与PCB连接，并通过良好的散热结构实现高效散热，确保在高电流条件下的安全性和稳定性。

总结

IRF200P222是一款多功能、高性能的N通道MOSFET，结合了高电压、高电流和高功率处理能力，适用于各种工业和消费电子应用。其优异的热管理设计和可靠性使其成为当今市场中最受欢迎的高功率开关解决方案之一。无论是在电源管理，马达驱动，还是变频器应用中，IRF200P222都展现了无与伦比的优势，是你实现高效电能管理的理想选择。