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SI3438DV-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
6-TSOP
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
Trans MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-Pin TSOP T/R
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
3.12按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.12
--
100+
￥2.5
--
750+
￥2.23
--
1500+
￥2.1
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3000+
￥2
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI3438DV-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 640pF @ 20V |
| 功率耗散（最大值） | 2W（Ta），3.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
SI3438DV-T1-GE3手册
无数据
SI3438DV-T1-GE3概述
产品概述：SI3438DV-T1-GE3 N通道MOSFET
引言
在现代电子设备中，功率管理和信号调节的高效性和可靠性是设计的核心要求之一。SI3438DV-T1-GE3是一款由VISHAY(威世)生产的N通道MOSFET，这款器件的设计旨在满足这些需求，广泛应用于电源管理、开关电路和驱动应用。其优越的电压、电流承载能力及热性能使其成为多种高效电子系统的理想选择。
基本参数
SI3438DV-T1-GE3特点包括：
- FET类型: N通道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
- 漏源电压 (Vdss): 可承受高达40V的电压，适合多种电压级别的电源应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C时，连续漏极电流可以达到7.4A，意味着在正常工作条件下，该器件能够稳定输出较大的电流。
- 驱动电压: 支持4.5V和10V的驱动电压，兼容多种逻辑水平的控制。
- 导通电阻 (Rds On): 在10V下，最大导通电阻可达到35.5毫欧，在高电流情况下能有效降低功率损耗。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为3V @ 250µA，保证该FET能够在较低电压下启动。
电气性能
在各种电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 下，SI3438DV-T1-GE3展示出优异的电气性能：
- 栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为20nC @ 10V，表明其在切换过程中能够快速响应，适合高频开关应用。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为640pF @ 20V，降低了驱动电路的复杂性。
- 最大功率耗散: 最大功率可达2W (环境温度) 和3.5W (结温)，适应多种散热需求。
- 工作温度: 工作温度范围为-55°C到150°C，适用于严苛环境，确保在高温或低温条件下的可靠性。
封装与安装
SI3438DV-T1-GE3采用6-TSOP细型封装，具体尺寸为SOT-23-6，有效地节省了空间并且易于在表面贴装的电路板上安装。该封装设计不仅提高了电子元器件的空间利用率，同时也优化了散热性能，确保在高功率应用下的稳定工作。
应用领域
由于其优越的电气特性和高温性能，SI3438DV-T1-GE3广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 包括开关电源、DC-DC变换器和电池管理系统。
- 驱动应用: 在马达驱动、LED驱动和智能功率模块中，提供高效的切换能力。
- 信号调节: 适用于各种开关电路和射频应用。
总结
SI3438DV-T1-GE3 N通道MOSFET凭借其高可靠性、高电流承载能力和优秀的开关性能，无疑是现代电子设计中不可或缺的重要组成部分。无论是在工业应用还是消费电子产品中，该器件均能提供低损耗和高效率，是实现高效能电源管理方案的理想选择。选择SI3438DV-T1-GE3，将有助于提升整体系统的性能和效率，为设计者带来更多的创新可能。