注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFR2405TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.481g
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 55V 56A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
2187(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.38按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.38
--
100+
￥2.81
--
1000+
￥2.57
--
2000+
￥2.37
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR2405TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 56A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 34A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2430pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR2405TRPBF手册
无数据
IRFR2405TRPBF概述
产品概述：IRFR2405TRPBF N通道 MOSFET
一、概述
IRFR2405TRPBF是由英飞凌（Infineon）公司制造的一款高性能N通道MOSFET，采用TO-252封装，专为各种高效电源管理和开关应用而设计。其特点包括高漏源电压能力、较低的导通电阻和极宽的工作温度范围，适合在高要求环境下持续可靠地运行。
二、关键参数
- FET类型: N通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 最大漏源电压（Vdss）: 55V
- 最大连续漏极电流（Id）: 56A（在Tc条件下）
- 导通电阻（Rds On）: 在10V驱动电压下，最大为16毫欧（在34A时），显示出该器件在高电流下的极低功率损耗。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大为4V（在250µA时），意味着该器件在低栅电压下即可稳定工作。
- 栅极电荷（Qg）: 最大为110nC（在10V时），反映了其在高速开关情况下的高效率。
- 输入电容（Ciss）: 最大为2430pF（在25V下），表明其适合高频应用。
- 最大功率耗散: 110W（在Tc条件下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C，显示了其在极端环境下的可靠性。
- 封装类型: TO-252-3（D-Pak），适合表面贴装，易于在自动化设备中进行快速生产。
三、应用领域
- 电源管理系统: 在AC/DC电源转换器和DC/DC转换器中，IRFR2405TRPBF的高效率和低损耗特性，使其成为理想的开关元件。
- 电动汽车: 由于其高电流能力及宽工作温度范围，该MOSFET非常适合用于电动汽车的驱动和控制电路。
- 工业电源: 在工业应用中，可靠性至关重要，IRFR2405TRPBF的高温工作能力和抗冲击能力，使其成为适合各类工业电源的选择。
- 消费电子: 在大功率消费电子设备中，其出色的导通性能和快速开关特性提升了设备的整体效率。
四、性能优势
IRFR2405TRPBF的设计优势在于其高效率、低开关损耗与高热稳定性，使其特别适用于需要频繁开关且对功耗敏感的电路。较低的导通电阻意味着在高电流时，可显著降低热量产生，帮助实现更紧凑的热管理方案。同时，广泛的工作温度范围为其在高温、高压等极端工况下的应用提供了保障。
五、总结
整体而言，IRFR2405TRPBF是一款具有卓越性能与可靠性的N通道MOSFET，广泛适用于电源管理和高负载开关的应用。凭借英飞凌的高质量标准和先进的制造工艺，该产品确保为设计工程师在不同的应用场合提供最佳的解决方案，提升电子系统的效率与安全性。无论是在工业、消费电子还是电动汽车领域，IRFR2405TRPBF都将是客户极佳的选择。