注：图像仅供参考，请参阅产品规格
NSVBAS19LT1G
品牌 :
ON(安森美)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
0.015g
描述 :
开关二极管 独立式 1.25V@200mA 120V 200mA SOT-23
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.357按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.357
--
200+
￥0.231
--
1500+
￥0.2
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
NSVBAS19LT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Vr、F 时电容 | 5pF @ 0V，1MHz |
| 二极管类型 | 标准 | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 200mA（DC） | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 200mA |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 120V | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100nA @ 100V | 反向恢复时间 (trr) | 50ns |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
NSVBAS19LT1G手册
无数据
NSVBAS19LT1G概述
NSVBAS19LT1G 产品概述
一、产品简介
NSVBAS19LT1G 是由安森美（ON Semiconductor）生产的一款表面贴装型开关二极管，采用 SOT-23-3（TO-236）封装。这种二极管设计用于电流和电压控制应用，特备适用于小信号整流和开关应用。该器件以其优良的电气特性和可靠的性能在电子电路中广泛应用。
二、主要特性
电流与电压规格
- 平均整流电流 (Io)：最大 200mA（DC），适合多种低功率应用。
- 正向电压 (Vf)：在 200mA 的工作条件下，正向电压为 1.25V，提供了较低的导通压降，有助于提升电源效率。
- 最大反向电压 (Vr)：可承受最高电压为 120V，适合高电压环境。
- 反向泄漏电流：在 100V 时反向泄漏电流小于 100nA，性能稳定，适合高可靠性应用。
开关速度
- 反向恢复时间 (trr)：只有 50ns，适合于高速开关应用。这使得 NSVBAS19LT1G 在需要快速切换的电路中表现出色。
电容特性
- 电容值：在 0V 和 1MHz 下测得电容为 5pF，这使得其在高频信号处理方面具有良好的性能。
工作温度范围
- 该二极管具有优越的环境适应性，工作温度范围为 -55°C 到 150°C，满足各种恶劣工作环境的需求。
封装结构
- 采用 SOT-23-3（TO-236）封装，体积小巧，适合现代电子设备的小型化设计，提高了电路的集成度。
三、应用场景
NSVBAS19LT1G 的设计使其非常适合以下应用场景：
- 低功率整流：如小型直流电源、电池充电器等。
- 信号开关：在无线电频率调制、音频信号处理等领域中的开关应用。
- 保护电路：用于防止过压和过流状态，提高系统可靠性。
- 高频应用：由于其低电容和快速开关特点，非常适合用于高频电路。
四、总结
NSVBAS19LT1G 是一款高性能的表面贴装开关二极管，凭借其优良的电气特性和小巧的封装形式，妥善满足了现代电子行业对高效能和小型化的需求。安森美作为该产品的制造商，给予了用户充分的信心，确保了器件的高可靠性和优秀的性能。
该产品的广泛应用和多样化的功能，使其成为电力电子、信号处理和保护电路等多种领域的理想选择。如果您正在寻找一款具有良好性能的开关二极管，那么 NSVBAS19LT1G 无疑是您值得考虑的选项。