晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 30V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
概述:
BC858W,115是一款高性能的PNP型双极结晶体管(BJT),专为中小功率的电子应用设计。它结合了优秀的电流传输能力和工作频率,具有高度的可靠性和稳定性,适用于广泛的消费者和工业电子产品。凭借其紧凑的SOT-323封装,此晶体管特别适合于空间受限的应用环境。
电气特性:
BC858W,115具有一系列关键的电气参数,使其在各种应用中表现出色:
电流增益:
BC858W,115还具备优秀的直流电流增益 (hFE),在低基极电流 (Ib) 下达到最小值125,确保了在小信号放大器和输出驱动器的应用中,能够实现较强的增益特性。这种特性使得该晶体管能够有效地提升信号的强度,特别适合于低功率音频放大和传感器接口电路。
频率响应:
其频率跃迁特性达到100MHz,允许在较高频率的信号应用中使用。该晶体管能够在需要高速开关和高频放大的电路中稳定工作,这为现代高速数字电路和射频(RF)应用提供了支持。
功耗与热特性:
BC858W,115的最大功率能力为200mW,这使得它能在较大的电流和电压范围内安全运行。工作温度范围可达150°C (TJ),使得该器件在高温环境中仍能保持良好的性能,适用于汽车电子、工业控制等要求严苛的场合。
封装与安装:
该晶体管采用了表面贴装型的SOT-323封装,具有体积小、重量轻等优点,非常适合现代电子产品的设计需求,特别是在便携式设备和紧凑型电路板设计中。简便的焊接工艺也确保了快速的生产效率与自动化程度。
应用领域:
BC858W,115 PNP晶体管可广泛应用于各种电子电路,例如:
总结:
BC858W,115以其出色的性能、可靠的电气特性和小巧的封装设计,是一款理想的PNP晶体管,适合各种电子应用。无论是在消费者产品,工业控制,还是在更复杂的电子系统中,它都能够提供卓越的表现,为设计工程师提供了更多的设计灵活性。在追求高效率、小尺寸和可靠性的现代电子产品中,BC858W,115都是不可或缺的选择。