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PMZ290UNE2YL
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
DFN-1006-3
包装 :
编带
重量 :
0.009g
描述 :
场效应管(MOSFET) 350mW 20V 1.2A 1个N沟道 DFN1006-3L
库存 :
1077(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.612按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.612
--
500+
￥0.205
--
5000+
￥0.136
--
100000+
产品参数
产品手册
产品概述
PMZ290UNE2YL参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 320 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta），5.43W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | DFN1006-3 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.4nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46pF @ 10V |
PMZ290UNE2YL手册
无数据
PMZ290UNE2YL概述
产品概述：PMZ290UNE2YL N-沟道MOSFET
制造商及品牌
PMZ290UNE2YL由知名半导体制造商Nexperia USA Inc.生产，这是一家专注于提供高品质半导体元件的公司，致力于满足各类电子应用的需求。
产品类型及应用场景
PMZ290UNE2YL是一个N-沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用表面贴装型（SMD）方案，适用于多种低功耗开关应用。依赖其低导通电阻和高效率，这款组件在电源管理、驱动电路、信号开关和负载开关等领域表现出色。由于其工作温度范围广泛（-55°C至150°C），使得PMZ290UNE2YL特别适用于严酷环境条件下的应用，例如汽车电子、工业自动化以及嵌入式系统等。
技术参数
该MOSFET的主要技术参数如下：
- 额定连续漏极电流（Id）：1.2A（在25°C环境温度下）
- 漏源电压（Vdss）：高达20V，适用于多种低压应用
- 栅源电压（Vgs）：在±8V的范围内工作，确保器件的稳定性和可靠性
- 导通电阻（Rds(on)）：在4.5V的驱动电压下，最大导通电阻为320毫欧，确保高效能的电流传输
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为950mV（在250µA的漏电流下），可用于精准的开关控制
- 驱动电压：支持1.5V和4.5V的驱动电压，以便满足不同应用需求
- 功耗：最大功耗为350mW（在环境温度下）及5.43W（在结温条件下），使其适合高功率应用
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V时最大值为1.4nC，确保在高频开关应用中的快速响应
- 输入电容（Ciss）：在10V下最大值为46pF，适合高速信号处理
封装规格
PMZ290UNE2YL采用SC-101封装，DFN1006-3L尺寸设计，这种紧凑的封装形式使其特别适合空间受限的电路设计。同时，DFN封装具有出色的散热性能，有助于提高器件的可靠性和性能。
工作条件和特性
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，符合高温和低温环境下的使用要求，扩大了它的应用场景。此外，设备在其设计中考虑了现代电子产品的发展趋势，能够满足实时性、稳定性和兼容性的要求。
总结
PMZ290UNE2YL N-沟道MOSFET以其低导通电阻、高效能和广泛的工作温度范围，成为多种电子应用的重要选择。其卓越的性能和温度适应性，使得该器件在各类现代电子设备中均具备出色的表现。无论是在汽车电子、工业控制还是通信设备中，PMZ290UNE2YL均能为设计师提供可靠的解决方案，是高性能、高效能设计的重要组成部分。