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DMN3008SFG-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
PowerDI3333-8
包装 :
编带
重量 :
0.089g
描述 :
场效应管(MOSFET) 900mW 30V 17.6A 1个N沟道 PowerDI3333-8
库存 :
2000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.72按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.72
--
100+
￥1.32
--
1000+
￥1.1
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN3008SFG-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.6 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 86nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3690pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMN3008SFG-7手册
无数据
DMN3008SFG-7概述
产品概述：DMN3008SFG-7
DMN3008SFG-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）提供。该器件以其出色的电气性能和良好的热管理特性，被广泛应用于开关电源、直流-直流转换器、电机驱动以及各种高效能的功率管理系统中。
主要参数
设备类型：N 通道 MOSFET
- DMN3008SFG-7 采用 N 通道架构，这使其在低导通电阻和高电流能力方面表现优异，适用于各种高效的功率转换应用。
漏源电压（Vdss）：30V
- 该器件的最大漏源电压为 30V，适用于中低压电子电路，确保电路在较高电压下稳定运行。
连续漏极电流（Id）：17.6A（在 25°C 下）
- 其强大的 17.6A 的连续漏极电流使 DMN3008SFG-7 在高负载条件下依然能够可靠工作，提供卓越的性能。
导通电阻（Rds On）：
- 在 10V 的栅极驱动电压下，DMN3008SFG-7 的导通电阻最大为 4.6 毫欧（Measure at 13.5A），这有助于降低开关损耗，提升系统效率。
栅极驱动电压（Vgs）：4.5V 与 10V
- 该器件在多数应用场景中可以用 10V 的标准栅极驱动电压，实现最低的导通电阻，并保证稳定的开关行为。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值 2.3V @ 250µA
- 较低的栅极阈值电压意味着在较低的驱动电压下即可开启，从而简化电路设计并提高整体效率。
输入电容（Ciss）：最大值 3690pF @ 10V
- 较高的输入电容值支持更好的频率响应，适合高频开关应用。
功率耗散：最大值 900mW
- 考虑到功率耗散的限制，DMN3008SFG-7 适合于需要节能的环境，特别是在高负载部署区域。
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 宽广的工作温度范围使其能够在各种恶劣环境下正常工作，适用的行业包括汽车、工业控制等。
封装类型：PowerDI3333-8（表面贴装型）
- 该器件的封装设计优化了散热性能，并使其适合现代电子产品的紧凑空间需求。
应用场景
DMN3008SFG-7 特别适用于以下应用场景：
- 开关电源：在开关电源和电子变压器中，较低的导通电阻能有效减少能量损耗，提高系统效率。
- 直流-直流转换器：其较高的连续电流负载能力使其成为直流-直流转换器的理想选择，不论是在高频还是低频工作环境。
- 电机驱动：可以广泛应用于各种电机驱动系统中，包括无刷直流电机（BLDC）和步进电机的控制电路。
- 电力管理系统：在需要高功率转换和管理的设备中，如电网设备和电池管理系统，该器件都能够发挥其性能优势。
结语
综上所述，DMN3008SFG-7 是一款灵活且高效的 N 通道 MOSFET，具备多项优越特性，使其成为现代功率电子应用中的理想选择。其稳定的电气性能和宽广的应用范围为设计工程师提供了良好的解决方案，是优化电子设备性能的重要一环。