FDMS6681Z
FDMS6681Z参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21.1A（Ta），49A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.2 毫欧 @ 22.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 241nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10380pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），73W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
FDMS6681Z手册
FDMS6681Z概述
FDMS6681Z 产品概述
FDMS6681Z 是一款高效、可靠的 P 通道 MOSFET，专为需要高功率和高效能的电子应用而设计。其特有的电气特性和紧凑的封装设计，使其在各种电子电路中展现出优越的性能，尤其适用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机驱动和其他高效能电源应用。
1. 关键参数
- FET 类型：P 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss)：30V——该特性使得 FDMS6681Z 能够安全低损耗地处理较高电压负载。
- 连续漏电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，最大可达 21.1A，而在 70°C 環境下(即 Tc) 提供更高达 49A 的性能，显示出其极佳的热管理能力。
2. 导通电阻与电流处理
FDMS6681Z 的导通电阻 (Rds On) 在 10V 驱动电压下，在 22.1A 的负载电流下，达到最大值仅为 3.2 毫欧。这种低导通电阻显著降低了在高负载条件下的功率损耗，提高系统效率。此外，该产品的门阈电压 (Vgs(th)) 最大为 3V @ 250µA，确保 MOSFET 在低电压下可迅速开启并有效工作。
3. 驱动电压与栅极电荷
FDMS6681Z 的最大驱动电压为 4.5V 至 10V，这使得它能够与多种逻辑电平兼容使用。在高频操作中，栅极电荷 (Qg) 最大为 241nC @ 10V，为频繁开启和关闭状态下提供快速响应能力，特别适合转换频率较高的开关电源设计。
4. 输入电容与功率耗散能力
该 MOSFET 的输入电容 (Ciss) 在 15V 时最大值为 10380pF，表明其在高频下具有良好的信号传输能力。其功率耗散能力分为两种工作环境：在室温下为最大 2.5W，而在短暂的高温环境下可达 73W，显示出其良好的热稳定性和散热性能。
5. 工作温度与封装
FDMS6681Z 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（TJ），确保了其在极端环境下的可靠性。这使得该元件非常适合航空航天、汽车及工业应用等要求严苛的领域。该 MOSFET 采用 8-PQFN（5x6）封装，具有出色的散热性能和小型化特征，更加易于在紧凑型电路板中进行布局。
6. 应用场景
由于 FDMS6681Z 优异的性能表现，它广泛应用于：
- DC-DC 转换器：作为主开关元件，提高转换效率。
- 电机控制：在电动机驱动应用中，作为开关元件实现高效控制。
- 电源管理：在各种电源管理电路中提供高功率密度与可靠性。
结论
FDMS6681Z P 通道 MOSFET 结合低导通电阻、优越的电流管理能力与宽广的工作温度范围，使其成为现代电子应用中不可或缺的重要元件。其紧凑的封装设计以及高效的热管理特性，确保能够在各种高效能应用中表现出色。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域，FDMS6681Z 都将为设计人员提供有效的解决方案。