CRSS052N08N

CRSS052N08N 产品概述

产品简介

CRSS052N08N 是由华润微电子（CRMICRO）设计与生产的一款N沟道场效应管（MOSFET），封装采用TO-263形式。这款MOSFET 具有出色的电流承载能力和低功耗特性，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器、马达驱动及其他高效能电路中。凭借174W的功率处理能力、85V的最高漏极源极电压和120A的脉冲电流能力，CRSS052N08N 是高性能应用的理想选择。

主要参数

• 类型: N沟道 MOSFET
• 最大漏极源极电压 (V_DS): 85V
• 最大电流 (I_D): 120A
• 功率损耗 (P_D): 174W
• 封装类型: TO-263
• 开关损耗: 低
• 导通电阻 (R_DS(on)): 低

主要特点

1. 高电流承载能力: 该MOSFET能够承受高达120A的脉冲电流，适合高负载应用，使其能够在苛刻条件下稳定工作。
2. 低导通电阻: 具备极低的导通电阻，在运作时能够最大限度地减少功耗，提升整体效率，优化热管理，同时降低散热需求。
3. 高阻压: 85V的漏极源极电压使其适用于较高电压的电源电路，满足多种应用需求。
4. 有效的热管理: TO-263封装具备优越的散热性能，确保器件在高负载运行时的热性能表现良好，降低故障风险。

应用领域

CRSS052N08N MOSFET可以广泛应用于以下领域：

• 开关电源: 适合各种电源管理应用，包括AC-DC和DC-DC转换器，能够提供高效的能量转换与调节。
• 电机驱动: 适用于步进电机和直流电机的控制，能够满足电流和响应速度的要求。
• 功率放大器: 在音频或射频放大器中使用，提供优秀的线性性能及高效率。
• 电池管理系统: 在电池充放电控制中运用，实现高效的电流流通及保护功能。

功能与优势

• 提高能效: 通过采用CRSS052N08N，设计工程师能够大幅提升系统的能量转化效率，从而减少运营成本。
• 稳定性与可靠性: 鼓励使用该MOSFET的设计确保系统具有较高的稳定性和可靠性，即使在高温和高负载情况下也能正常工作。
• 灵活的设计选项: TO-263封装使其提供更大的布局灵活性，易于与多种电路设计兼容，便利了集成设计。

结论

CRSS052N08N是一款高性能的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能和良好的热管理，成为电力电子系统的理想选择。无论是在开关电源，电机驱动还是电池管理系统中，该产品均展现出优秀的功率处理能力和高能效表现。适用于高负载和高温度环境的应用，确保用户在设计过程中提高了系统的稳定性和效率。选择CRSS052N08N，以赋能您的下一代电子设备，助力实现更高的设计目标。