MMBT3904TT1G

MMBT3904TT1G 产品概述

产品简介

MMBT3904TT1G是一款高效、可靠的NPN型晶体管，广泛应用于各种电子产品和电路中。该器件具有良好的性能特点，适用于信号放大、开关控制以及其他低功率应用。其先进的设计使其能够满足多个工业标准，为开发者和工程师提供出色的设计灵活性。

关键参数

1. 晶体管类型: NPN
2. 集电极电流 (Ic): 最大200 mA，适合中低电流应用。
3. 集射极击穿电压 (Vce): 最大40V，使其能够在多个电压等级的电路中稳定工作。
4. Vce 饱和压降 (Vce(sat)): 不同集电极电流下的最大值为300mV @ 5mA 和 50mA，意味着在开关状态时能保持低损耗，从而提高效率。
5. DC电流增益 (hFE): 最低达到100 @ 10mA，1V，为用户提供了良好的增益性能，有助于信号的放大。
6. 功率消耗: 最大功率为300mW，适用于多种应用条件。
7. 频率响应: 最大跃迁频率为300MHz，适合于高频应用，如射频和高保真音频信号处理。
8. 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ），确保了在极端环境条件下的稳定性。
9. 封装类型: SC-75/SOT-416，表面贴装型设计，便于焊接和集成在现代高度密集的电路板上。

应用领域

MMBT3904TT1G适合于多种应用场景，包括但不限于：

• 音频放大器: 由于其低噪声特性和高增益性能，该晶体管是音频信号放大的理想选择。
• 开关电路: 作为低功耗开关元件，在数字电路和控制模块中广泛应用。
• 射频通信: 其高频响应特性，使其非常适合RF放大和信号调制。
• 信号处理: 在多种信号处理电路中提供关键的放大和调制功能。

性能优势

1. 高增益: 其优异的DC电流增益性能使得设计者可以在较低的输入信号条件下实现较高的输出电流。
2. 低能耗: 低饱和压降意味着在开关状态下的能量损耗极少，提高了整体电路的能效。
3. 良好的频率响应: 适合高频应用的能力使得此晶体管在无线通信和广播领域特别受欢迎。
4. 宽广的工作温度范围: 保证了在各种环境条件下的稳定操作，适合各种工业和消费电子产品的使用。

封装与安装

MMBT3904TT1G采用SC-75/SOT-416封装，表面贴装（SMD）的设计使得其在PCB板上的安装更加方便和效率高。由于封装小巧，该器件非常适合现代电子产品中的紧凑设计。

结论

MMBT3904TT1G是一款高性价比NPN晶体管，凭借其优异的电气性能和卓越的工作稳定性，成为了广泛电子应用的优选元件。无论是在消费电子、通信设备还是工业自动化中，MMBT3904TT1G都能提供可靠的性能，满足设计师对高性能元件的需求。安森美作为该产品的制造商，凭借其在电子元器件领域的深厚技术积累和市场经验，为客户提供了高质量的产品和服务，使其成为开发现代电子产品的理想选择。