RK7002BMHZGT116
RK7002BMHZGT116参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 250mA，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 15pF @ 25V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
RK7002BMHZGT116手册
RK7002BMHZGT116概述
RK7002BMHZGT116 产品概述
一、基本介绍
RK7002BMHZGT116 是ROHM（罗姆）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用 SOT-23 封装，专为提供高功率和高效率而设计。这款MOSFET具有卓越的导通性能和较低的导通电阻，使其非常适合于多种应用场景，包括开关电源、负载开关及其他低功耗、高密度布局的电子设备。
二、主要性能参数
导通电阻： RK7002BMHZGT116 在不同的漏极电流 (Id) 和栅源电压 (Vgs) 条件下，最大导通电阻为 2.4 欧姆，测试条件为 250mA 和 10V。这使得其在工作时可以有效减小功耗，提高系统整体效率。
驱动电压： 本MOSFET支持最低 2.5V 的栅源驱动电压以实现最小的导通电阻，最高支持 10V 的驱动电压以确保在宽广的工作条件下都能提供稳定的性能。
漏极电流： RK7002BMHZGT116 的连续漏极电流高达 250mA，在 25°C 的环境温度下，能稳定工作，适用于需要低功耗和小体积的场合。
漏源电压： 该MOSFET的漏源电压（Vdss）为 60V，这使得它能够广泛应用于需要较高电压的电路，从而满足各种工业及消费者电子产品的需求。
功率耗散： 最大功率耗散为 350mW（在环境温度 25°C 时），这保证了其在高负载情况下的安全性和稳定性。
输入电容： 在 25V 的条件下，输入电容 (Ciss) 最高可达 15pF，这一特性使得其在高频应用中能够保持良好的开关性能，降低开关损耗。
工作温度和额定值： RK7002BMHZGT116 可在最高 150°C 的结温下稳定工作，适应性强，能够满足不同环境条件的严苛应用。
三、封装与安装
RK7002BMHZGT116 采用 SOT-23 封装，这种小型封装不仅便于表面贴装（SMD）技术的使用，适合现代高密度电路板设计，同时也能有效节省PCB空间。这一特点使得该产品非常适合于便携式和小型电子设备，更能满足市场对小型化的需求。
四、应用领域
RK7002BMHZGT116 在多种应用环境中表现出色，包括但不限于：
- 开关电源：由于其稳定的导通性能和高效的功率管理，此MOSFET 可以实现电源的快速开关和高效节能。
- 电池管理系统：其较低的导通电阻及高工作温度范围使得它在电池保护电路中表现优异，确保安全、长期的电池运行。
- 家电控制：可用于家用电器的开关控制，如洗衣机、空调及其他智能家居产品。
- 通信设备：在高频应用中提供稳定的开关和放大功能，广泛应用于各种移动通信设备、无线电等。
五、总结
RK7002BMHZGT116 是一款集高性能与高可靠性于一体的 N 沟道MOSFET，适用于各种现代电子产品的开发与设计。依据其卓越的电气特性和灵活的应用范围，ROHM 将其定位为市场上表现出色的高功率开关元器件之一。无论是在工业设备、消费电子，还是在新兴的智能设备领域，该产品都展现出其卓越的价值和广泛的应用潜力。