NCE65T2K4K 产品实物图片
NCE65T2K4K 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE65T2K4K

商品编码: BM0006141322
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252-2
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.21
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.21
--
100+
¥0.6825
--
1250+
¥0.676
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE65T2K4K参数

功率(Pd)21W反向传输电容(Crss@Vds)0.2pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.2mΩ@10V,1A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V
漏源电压(Vdss)650V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)120pF@50V连续漏极电流(Id)2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.5V@70uA

NCE65T2K4K手册

empty-page
无数据

NCE65T2K4K概述

NCE65T2K4K 产品概述

一、产品简介

NCE65T2K4K是新洁能(NCE)公司推出的一款高效能、大功率的场效应晶体管(MOSFET),采用D-PAK(TO-252)封装。这款器件的设计特别适合于工业电源、DC-DC转换器以及消费电子产品中的功率管理应用。由于其良好的电气性能和出色的散热特性,NCE65T2K4K在诸多领域得到了广泛应用。

二、主要特性

  1. 高耐压:NCE65T2K4K具有较高的耐压能力,通常可在650V的工作环境中稳定工作。这使得它能够适应各种高压应用的需求,确保其在恶劣条件下的可靠性。

  2. 低导通电阻:该MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on)),这意味着在通电状态下,能量损耗得到有效降低,从而提高系统的能效并减少热量产生。

  3. 快速开关特性:NCE65T2K4K具备良好的开关特性,使其能够在高频应用中高效工作。这对于提升变换器的工作频率和提高系统整体性能至关重要。

  4. 高热导性:由于D-PAK封装的设计,NCE65T2K4K具有优良的热管理特性,能够有效散热,延长器件的使用寿命并提升系统可靠性。

  5. 优秀的动态特性:在其应用过程中,NCE65T2K4K展现出良好的传导特性和低的输入电容,能够满足快速开关电源和脉冲宽度调制(PWM)控制的需求。

三、应用领域

NCE65T2K4K以其出色的电气特性,在多个领域有广泛的应用,包括但不限于:

  1. 开关电源(SMPS):在开关电源中,NCE65T2K4K可以用作开关元件,帮助实现高效的电源转换,并降低能量损失。

  2. DC-DC转换器:在各种类型的DC-DC转换器中,NCE65T2K4K可以承担主要的功率传导任务,例如作为主开关或同步整流器,有效提升转换器的效率。

  3. 电动汽车:随着电动汽车市场的快速发展,NCE65T2K4K在电池管理系统和电动驱动系统中的应用也日益增加,其高效的电力控制特点有助于提升整车能效。

  4. 家用电器:在各种家用电器中,如节能型冰箱、空调等,NCE65T2K4K能够提供必要的功率转换和控制,帮助设备实现更高的能效和节能效果。

四、技术参数

  • 最大漏源电压(Vds):650V
  • 最大漏电流(Id):可达65A
  • 导通电阻(Rds(on)):在特定条件下可低至0.15Ω
  • 封装类型:D-PAK(TO-252)
  • 工作温度范围:-55°C至+150°C

五、总结

NCE65T2K4K作为新洁能的一款高性能MOSFET产品,其出色的电气特性、极佳的散热能力以及广泛的应用场景,使其成为现代电子设计中不可或缺的一部分。在面对不断发展的技术需求时,这款器件凭借其高效率和可靠性,为各类电子设备带来了显著的性能提升。无论是在工业用电源、消费电子还是新兴电动汽车领域,NCE65T2K4K都展示了其极为重要的地位与价值。