NCE65T1K2K 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE65T1K2K

商品编码: BM0006141042
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
TO-252
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 41W 650V 4A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
2035(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
1.45
按整 :
管(1管有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.45
--
100+
¥1.11
--
1250+
¥0.965
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE65T1K2K参数

功率(Pd)41W反向传输电容(Crss@Vds)0.6pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)950mΩ@10V,2A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
漏源电压(Vdss)650V类型1个N沟道
输入电容(Ciss@Vds)304pF@50V连续漏极电流(Id)4A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA

NCE65T1K2K手册

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NCE65T1K2K概述

NCE65T1K2K 产品概述

概述

NCE65T1K2K是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由新洁能(NCE)公司生产,封装形式为TO-252(DPAK)。该元器件的主要参数包括额定换流功率为41W、耐压为650V、最大连续电流为4A,非常适合用于高压和中等功率的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动及其它需要高效能的电子电路中。

技术特性

  1. 高耐压能力: NCE65T1K2K的耐压高达650V,能够处理高电压应用,适用于工业电源、高压照明及其他需要处理较高电压的电路。

  2. 较低的导通电阻: 该产品具有较低的R_DS(on),在正常工作状态下可以有效降低功耗,提升系统的效率,并减少热量产生。这一特性使得NCE65T1K2K特别适合用于高效的开关电源设计。

  3. 良好的热管理能力: TO-252封装能够良好地散热,使得元件在高负载情况下也能稳定工作。其散热特性极大地减少了对外部散热设计的依赖,有利于增强产品的整体可靠性。

  4. 较高的开关速度: NCE65T1K2K具备良好的开关特性,能够在高频率下稳定工作,这对于现代电子设备和电源转换设备中的PWM控制和快速开关非常重要。

应用场景

NCE65T1K2K的应用范围非常广泛。其主要应用场景包括:

  1. 开关电源: 作为开关管使用在DC-DC转换器中,可以提供高效的功率转换,提高整体电源的效率。

  2. 电机驱动: 由于其高压和高电流的处理能力,可以用作电机驱动电路中的开关元件,帮助实现电机的高效控制。

  3. 家电控制: 该MOSFET也可以用于各种家用电器的电源管理电路,如电饭煲、洗衣机等,通过优化功率控制,提升产品的用户体验。

  4. LED驱动: 在LED照明系统中,可以使用NCE65T1K2K控制电流,保持LED的亮度稳定并提高其使用寿命。

  5. 车载应用: 由于其较高的耐压和可靠性,该元器件也适合在汽车电子应用中,包括动力管理及控制系统。

总结

综上所述,NCE65T1K2K是一款兼具高效率、高耐压和良好散热性能的N沟道MOSFET。在当前高效能电源及电机控制的设计趋势下,该产品凭借其优越的技术特性,成为设计工程师在制定方案时的重要选择。无论是工业自动化、消费电子还是汽车电子领域,NCE65T1K2K均能展现出优异的性能,是推动现代电子产业发展的重要元器件之一。