VS-C04ET07T-M3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

VS-C04ET07T-M3

商品编码: BM0005123631
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-220AC-2
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
6.1
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥6.1
--
100+
¥4.88
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

VS-C04ET07T-M3参数

制造商Vishay Semiconductor Opto Division包装管件
零件状态有源二极管类型肖特基 - 单
电压 - 峰值反向(最大值)650V不同 Vr、F 时电容170pF @ 1V,1MHz
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)封装/外壳TO-220-2
供应商器件封装TO-220AC电流 - 最大值4A
功率耗散(最大值)40W

VS-C04ET07T-M3手册

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VS-C04ET07T-M3概述

产品概述:VS-C04ET07T-M3

1. 引言

VS-C04ET07T-M3 是由 Vishay Semiconductor Opto Division 生产的一款高性能硅碳化二极管,采用 TO-220-2 封装。作为一种常用的电子元器件,VS-C04ET07T-M3 在工业和商业应用中得到广泛应用。其独特的材料特性和优越的电气性能使其在高电压和高频率应用中表现出色。

2. 主要规格

  • 制造商: Vishay Semiconductor Opto Division
  • 封装类型: TO-220-2
  • 零件状态: 有源
  • 二极管类型: 肖特基二极管(单一)
  • 最大峰值反向电压 (Vr): 650V
  • 不同 Vr、F 时电容: 170pF @ 1V,1MHz
  • 工作温度范围 (TJ): -55°C ~ 175°C
  • 最大电流: 4A
  • 最大功率耗散: 40W

3. 特性与优势

VS-C04ET07T-M3 是一种使用硅碳化(SiC)材料的肖特基二极管。与传统的硅二极管相比,SiC 材料在高温、高压和高频应用中表现出更优越的性能。这些特性使得其在电力电子设备中得到越来越广泛的应用。

  • 高电压能力: 其最大峰值反向电压为 650V,使其在高压环境下安全稳定工作,适用于变频器、开关电源和逆变器等应用。
  • 低正向压降: 肖特基二极管的特性之一是其相对较低的正向压降,能够有效减少功耗,提高能效,特别是在需要快速开关的应用中更为显著。
  • 高频性能: 其在 1MHz 时表现出良好的电容特性(170pF @ 1V),使其特别适合于高频应用,诸如高频开关电源及 RF 应用。
  • 宽工作温度范围: 工作温度范围从 -55°C 到 175°C,提供了极佳的热稳定性和可靠性,使其能够在严苛环境下正常运行。

4. 应用场景

VS-C04ET07T-M3 可广泛应用于以下领域:

  • 电力电子设备:用于变频器和逆变器,提供高效的电流整流和开关性能。
  • 开关电源:在开关电源中作为整流器和保护器件,降低功耗并提高转换效率。
  • 电机驱动:为各种电机驱动应用提供可靠的电源整流解决方案。
  • 充电设备:用于电池充电器中,帮助提高充电效率并降低热损耗。

5. 设计指南

在使用 VS-C04ET07T-M3 时,设计工程师需注意以下几点:

  • 散热设计: 考虑到其最大功率耗散为 40W,设计时需要合理布局散热器,以保证二极管的工作在安全温度范围内。
  • 反向电压保护: 在高电压应用中,确保其反向电压不超过 650V,以保证长时间的稳定工作。
  • PCB 安装: TO-220 封装需要仔细布局和安装,以优化电流路径并减少电磁干扰。

6. 总结

VS-C04ET07T-M3 是一款性能卓越的硅碳化肖特基二极管,凭借其高效能和广泛的应用场景,成为当今电力电子领域中不可或缺的元器件。其低正向压降、高频性能和优越的热稳定性,使其应用于各个现代化电子系统中。通过合理的设计和使用,该二极管能够确保高效、可靠的性能,为用户提供无可替代的价值。