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NX3008PBKW,115
品牌 :
Nexperia(安世)
封装 :
SOT-323-3
包装 :
编带
重量 :
0.029g
描述 :
场效应管(MOSFET) 260mW；830mW 30V 200mA 1个P沟道 SOT-323-3
库存 :
3086(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.363按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.363
--
200+
￥0.234
--
1500+
￥0.203
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
NX3008PBKW,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| 包装 | 卷带（TR） | 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±8V | 功率耗散（最大值） | 260mW（Ta），830mW（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 | 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 46pF @ 15V |
NX3008PBKW,115手册
无数据
NX3008PBKW,115概述
产品概述：NX3008PBKW,115
基本信息
制造商：Nexperia USA Inc.
产品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
零件状态：有源
封装类型：SOT-323（SC-70 形式）
包装方式：卷带（TR）
关键规格
NX3008PBKW,115 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，特别适用于汽车电子及其他需要高可靠性的应用。该器件最高工作温度可达 150°C，符合严苛的环境条件要求，能够满足 AEC-Q101 标准，确保适合汽车行业的应用。
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：200mA（在 25°C 时）
- 最大功率耗散：260mW（Ta），830mW（Tc）
- 导通电阻（Rds On）：4.1Ω @ 200mA, 4.5V
- Vgs（最大值）：±8V
- Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：0.72nC @ 4.5V
- 输入电容（Ciss）：46pF @ 15V
应用领域
NX3008PBKW,115 具有广泛的应用潜力，尤其适用于需要高效能和高度集成的电子器件。这款 MOSFET 特别适用于以下场景：
- 汽车电子：能在高温和恶劣环境下依然保持稳定的性能，满足现代汽车对电子元件的高要求。
- 轻负载开关：如 LED 驱动和小型直流马达控制。
- 电源管理：例如 DC-DC 转换器中的开关元件，尤其在电源效率和体积受限的情况下。
- 便携式电子产品：如手机、平板电脑以及其他个人电子设备中，应用于电源开关电路。
设计优势
选择NX3008PBKW,115产品将为设计工程师带来多项优势：
- 高温运行能力：该产品的工作温度范围广（-55°C ~ 150°C），这对汽车应用尤其重要，可以降低因温度变化造成的器件失效风险。
- 高效能：通过 TrenchMOS™ 技术，能在较低的驱动电压下实现更加优越的导通性能，确保低功耗和高效率。
- 小型封装：SOT-323 封装在减少电路板面积的同时，依然提供了良好的热性能，这对于便携式和空间受限的应用尤为重要。
结论
NX3008PBKW,115 是一款集高效率、高温耐受力与小型封装于一体的优质 P 通道 MOSFET，特别适合汽车、工业及消费电子等领域的多种应用。凭借其卓越的性能和可靠的质量，NX3008PBKW,115 将为各种设计提供理想的解决方案，是需要高端性能和耐久性的设计工程师的理想选择。选择 Nexperia 的这一产品，无疑将帮助实现更高效能的系统设计及持久的产品表现。