功率(Pd) | 80W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 77.3pF@30V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@10V |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.6307nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 28A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
NCE60P28AK 产品概述
NCE60P28AK是新洁能(NCE)公司推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,专为高效率的电力转换和开关应用设计。其最大耐压可达60V,较低的导通电阻(RDS(on))和快速的开关速度,使其在电源管理、LED驱动和DC-DC转换器等多个领域具有广泛的应用潜力。
封装类型: TO-252
额定电压: 60V
导通电阻: RDS(on)
电流承载能力: 最大持续漏电流(ID)
开关特性: 疏离特性良好
电源管理:
LED驱动电路:
DC-DC转换器:
电机驱动:
NCE60P28AK作为一款高性能的功率MOSFET,以其优异的开关特性、低导通电阻和高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动、LED驱动以及DC-DC转换器等领域。其封装形式TO-252设计的高效能和可靠性,使其成为现代电子产品中不可或缺的元器件之一。在继续推进绿色技术和高效能设计的今天,NCE60P28AK为工程师提供了一个理想的解决方案,助力他们开发出更高效、更智能的电子设备。