不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 30pF @ 25V | 安装类型 | 表面贴装型 |
Vgs(最大值) | ±20V | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA | 功率耗散(最大值) | 225mW |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 漏源电压(Vdss) | 50V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8 欧姆 @ 100mA,10V | FET 类型 | P 通道 |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
产品概述:BSS84-TP P沟道MOSFET
BSS84-TP是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为需要高效能和稳定性的小型电子电路设计而开发。它的封装形式为SOT-23,使其特别适合现代表面贴装技术(SMT),有助于在各种设备中节省空间并提高生产效率。本产品的各项参数使其在众多应用场景中脱颖而出,具有较高的实用价值。
BSS84-TP的各项基本电子特性表现优异:
BSS84-TP的工作温度范围为-55°C至150°C,展现出优异的环境适应能力。在严苛的工作条件下,能够保持稳定性能,确保电子产品在极端环境下的可靠运行。
BSS84-TP广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于:
由于采用SOT-23封装,BSS84-TP非常适合表面贴装技术(SMT)。这种封装设计不仅减少了占用板面积,还能提高组装密度。紧凑的封装控制了引脚间距,简化了电路设计,减少了布线复杂度,同时提升了产品的一致性与可靠性。
BSS84-TP由知名品牌MCC(美微科)生产,品牌具备良好的信誉,产品性能得到了广泛认可。MCC在半导体领域积累了丰富的经验和技术,其产品以稳定性和高可靠性受到客户的青睐。
综上所述,BSS84-TP是一款功能强大且性能卓越的P沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别是在对空间和工作效率有较高要求的场合。其独特的电气特性、优良的环境适应能力和紧凑的SOT-23封装,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在消费类电子产品还是工业自动化设备领域,BSS84-TP都能发挥重要作用。