BSS84-TP 产品实物图片
BSS84-TP 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BSS84-TP

商品编码: BM0003121757
品牌 : 
MCC(美微科)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 225mW 50V 130mA 1个P沟道 SOT-23
库存 :
2800(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.529
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.529
--
200+
¥0.176
--
1500+
¥0.11
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

BSS84-TP参数

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)30pF @ 25V安装类型表面贴装型
Vgs(最大值)±20V技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)130mA功率耗散(最大值)225mW
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA漏源电压(Vdss)50V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8 欧姆 @ 100mA,10VFET 类型P 通道
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

BSS84-TP手册

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无数据

BSS84-TP概述

产品概述:BSS84-TP P沟道MOSFET

BSS84-TP是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),专为需要高效能和稳定性的小型电子电路设计而开发。它的封装形式为SOT-23,使其特别适合现代表面贴装技术(SMT),有助于在各种设备中节省空间并提高生产效率。本产品的各项参数使其在众多应用场景中脱颖而出,具有较高的实用价值。

基本参数

BSS84-TP的各项基本电子特性表现优异:

  • 导通电阻(Rds(on)):在Vgs为10V、Id为100mA时,最大导通电阻为8Ω。这一低电阻值使其在通电状态下损耗最小化,有助于提高电路效率。
  • 最大漏极电流(Id):在25°C环境温度下,其连续漏极电流可达130mA,能够满足多种中小功率需求的应用。
  • 漏源电压(Vdss):最大漏源电压为50V,适用于普通电源电压较低的数字电路和模拟电路。
  • 功率耗散:最大功率耗散为225mW,有助于控制热量生成,确保元件的可靠性。

电气特性

  • 输入电容(Ciss):在25V时,最大输入电容为30pF。低输入电容使得相关驱动电路具有更高的切换速度,适合高速数字电路的要求。
  • 阈值电压(Vgs(th)):在250µA上最大阈值电压为2V,确保在下拉或高阻态时保持良好的开关性能。
  • 驱动电压:该器件的最高驱动电压为±20V,适合于多种工作环境中的设计解决方案。

工作温度

BSS84-TP的工作温度范围为-55°C至150°C,展现出优异的环境适应能力。在严苛的工作条件下,能够保持稳定性能,确保电子产品在极端环境下的可靠运行。

应用场景

BSS84-TP广泛应用于各类电子设备中,包括但不限于:

  1. 开关电源:可用于电源管理和开关控制,能够有效降低功耗和提高系统效率。
  2. 信号处理电路:适合用于模拟信号处理和调制解调电路,提供精确的开关切换。
  3. 功率放大器:在低功耗应用中可用作功率放大器的开关元件,实现数据传输的高可靠性。
  4. 负载开关:可应用于各种低功耗负载的开关控制,适用于移动设备和便携式电子产品。

封装与安装

由于采用SOT-23封装,BSS84-TP非常适合表面贴装技术(SMT)。这种封装设计不仅减少了占用板面积,还能提高组装密度。紧凑的封装控制了引脚间距,简化了电路设计,减少了布线复杂度,同时提升了产品的一致性与可靠性。

品牌保障

BSS84-TP由知名品牌MCC(美微科)生产,品牌具备良好的信誉,产品性能得到了广泛认可。MCC在半导体领域积累了丰富的经验和技术,其产品以稳定性和高可靠性受到客户的青睐。

总结

综上所述,BSS84-TP是一款功能强大且性能卓越的P沟道MOSFET,适用于多种电子应用,特别是在对空间和工作效率有较高要求的场合。其独特的电气特性、优良的环境适应能力和紧凑的SOT-23封装,使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在消费类电子产品还是工业自动化设备领域,BSS84-TP都能发挥重要作用。