FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 400V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 300 毫欧 @ 9.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 150nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2600pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 190W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-3 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
IRFP350PBF 是一款高性能 N 通道 MOSFET,适用于各种工业应用、开关电源和其他高电压高电流环境。这款MOSFET采用TO-247-3封装,具备卓越的热管理性能,能够在高温和高压条件下稳定工作。由VISHAY(威世)公司生产,该器件以其高效能和可靠性著称,是现代电子电路设计中不可或缺的元器件之一。
电气规格:
驱动和控制:
温度和功率特性:
封装与安装:
IRFP350PBF MOSFET广泛应用于以下领域:
IRFP350PBF 是一款集高电压、高电流与优越热管理于一体的N沟道MOSFET,凭借其可靠的性能和卓越的电气特性,广泛适用于开关电源、逆变器及电机驱动等诸多领域。其高温工作稳定性和低导通电阻使其成为各类电源管理应用的理想选择,能够满足现代电子设备对高性能元器件的需求。通过使用IRFP350PBF,工程师能够设计出效率更高,功能更强大的电子电路,大幅提升产品的整体质量和市场竞争力。