BAP65-02,115 产品实物图片
BAP65-02,115 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BAP65-02,115

商品编码: BM0003121728
品牌 : 
NXP(恩智浦)
封装 : 
SOD-523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
二极管-射频-PIN-单-30V-100mA-715mW-SOD-523
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.41
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.41
--
100+
¥1.13
--
750+
¥1.01
--
1500+
¥0.949
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

BAP65-02,115参数

电压 - 峰值反向(最大值)30V不同 If、F 时电阻350 毫欧 @ 100mA,100MHz
不同 Vr、F 时电容0.375pF @ 20V,1MHz工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
电流 - 最大值100mA功率耗散(最大值)715mW
二极管类型PIN - 单

BAP65-02,115手册

empty-page
无数据

BAP65-02,115概述

产品概述:BAP65-02,115

BAP65-02,115 是一款由恩智浦(NXP)推出的高性能PIN射频二极管,设计用于广泛的射频(RF)应用。该二极管采用小型SOD-523封装,具有优良的电气特性和可靠性,非常适合在高频和高功率环境中使用。以下将详细介绍该产品的主要技术参数和应用场景。

1. 基本参数

  • 电压峰值反向(最大值):BAP65-02,115 的最大反向电压为30V,这使得其能够处理一定程度的电压波动而不受损坏。

  • 温度范围:该二极管的工作温度范围为-65°C至150°C,适应了恶劣环境下的使用需求。因此,BAP65-02,115 非常适合航空航天、汽车电子以及工业控制等需要高温稳定性的应用。

  • 电流:该部件的最大电流为100mA,确保了较高的信号处理能力,适合多种射频处理需求。

  • 功率耗散:该二极管的最大功率耗散为715mW,允许其在高功率应用中运行,而不必担心因过热而导致的性能衰减。

2. 电气特性

  • 不同 If、F 时电阻:在给定条件下(例如100mA和100MHz频率),BAP65-02,115 的电阻为350毫欧。这一低阻抗特性使得二极管在开关应用中具有较低的损耗,进而提高了系统效率。

  • 不同 Vr、F 时电容:当在20V,1MHz条件下测量时,电容值为0.375pF。这一特性是射频应用中非常重要的一项参数,能够提供良好的频率响应,确保信号传输的完整性。

3. 应用场景

BAP65-02,115 可广泛应用于多种场合:

  • 射频开关:由于其低电阻特性和较高的工作电压,BAP65-02,115 二极管非常适合用作射频信号的开关,能够在高频环境中有效地切换信号通路。

  • 衰减器和混频器:在许多RF应用中,BAP65-02,115 可用于信号的衰减和混频操作,能够适应不同频率下的信号处理需求。

  • 天线匹配网络:该二极管在天线匹配网络中也能发挥重要作用,有助于其特定频率下的最佳匹配,提高信号传输效率。

  • 无线通信:BAP65-02,115 可用于各种无线通信设备,如手机、基站、无线传感器等,支持高数据速率的稳定信号传输。

4. 总结

BAP65-02,115 是一款多功能的射频二极管,凭借其优异的电气特性、广泛的工作温度范围和小型封装,非常适合在现代通信和电子系统中的多种应用。恩智浦(NXP)倾力打造的该型号产品,不仅能够满足高性能电路对射频元件的严格要求,同时也确保了在实际应用中的稳定性与可靠性。凭借这些特点,BAP65-02,115 一定会成为现代电子设计师和工程师的重要选择。