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IRF530SPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-263-3
包装 :
管装
重量 :
2.24g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.7W；88W 100V 14A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.07按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.07
--
100+
￥3.25
--
1000+
￥3.02
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF530SPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 670pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），88W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-263（D²Pak） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
IRF530SPBF手册
无数据
IRF530SPBF概述
IRF530SPBF 产品概述
产品简介
IRF530SPBF是VISHAY（威世）公司推出的一款N通道MOSFET（绝缘栅场效应管），该器件专为高效能与高稳定性的应用场景设计，具有良好的电气特性和热性能。IRF530SPBF在多种电力电子应用中表现出色，是电源管理、开关电源、马达驱动以及电动汽车和工业控制等领域的理想选择。
主要参数
IRF530SPBF的关键技术参数包括：
- 型式：N通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：最大100V
- 最大连续漏极电流（Id）：14A（在Tc条件下）
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅极驱动电压下，@8.4A时最大值为160毫欧
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4V（在250µA下）
- 栅极电荷（Qg）：在10V下最大为26nC
- 输入电容（Ciss）：在25V下最大值为670pF
- 功率耗散：最大3.7W（环境温度Ta），最大88W（结温Tc）
- 工作温度范围：-55°C至175°C
- 封装类型：TO-263-3（D²Pak），适合表面贴装
特性与应用
IRF530SPBF展现了出色的开关特性和低导通电阻，使其在高频率及高效率的应用场景中表现依然稳定。相较于传统的双极型晶体管（BJT），MOSFET可以提供更高的开关速度和更低的功耗，这意味着在有限的空间内能实现更大的功率输出。
由于其宽广的工作温度范围，IRF530SPBF适用于极端环境条件，且其TO-263封装设计使得设备在散热方面表现优异，适合需要较高功率的应用。常见的应用包括：
- 开关电源
- DC-DC变换器
- 逆变器
- 电机驱动电路
- 负载开关
性能优势
- 高效能：低Rds(on)值使其在工作时发热量降至最低，提高了系统的整体效率。
- 高功率处理能力：能承受高达88W的功率，适合高负载条件下工作。
- 宽广拨范围：工作温度范围广，使其能够在严苛的环境下稳定工作，增加了产品的使用灵活性。
- 可靠性：VISHAY作为知名品牌，其产品质量保障和稳定性高，使得IRF530SPBF能够满足高可靠性应用的需求。
结论
IRF530SPBF N通道MOSFET凭借其出色的电气规格和封装设计，成为了许多高效能电源和电机控制应用中的理想选择。无论是在工业、消费电子，还是在电动汽车领域，该产品都能为设计师提供卓越的性能和极高的可靠性，是现代电力电子设计不可或缺的重要元器件。选择IRF530SPBF，意味着在电源管理和开关操作中更为自如、高效。