PESD3V3S5UD,115
PESD3V3S5UD,115参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 3.3V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 5.3V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 12V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 20A（8/20µs） |
| 功率 - 峰值脉冲 | 200W | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 通用 | 不同频率时电容 | 215pF @ 1MHz |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 单向通道 | 5 | 基本产品编号 | PESD*S5U |
PESD3V3S5UD,115手册
PESD3V3S5UD,115概述
PESD3V3S5UD,115 产品概述
PESD3V3S5UD,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 ESD（静电放电）保护二极管，专门设计用于保护敏感电子元件免受静电和浪涌电流的影响。它兼具紧凑的封装和出色的保护能力，广泛应用于多种电子设备中，尤其是消费电子、通信设备和工业系统。
主要特性
优越的静电放电保护: PESD3V3S5UD，115 提供高达 20A 的峰值脉冲电流处理能力，确保在遭受静电放电时能够有效保护下游器件，从而降低损坏的风险。
宽电压范围: 此二极管的反向断态电压典型值为 3.3V，最大值为 5.3V，击穿电压最小值为 5.3V，能为符合这些电压要求的电路提供有效的保护。
低电容特性: 在频率为 1MHz 时，其电容值仅为 215pF，这使得 PESD3V3S5UD,115 非常适合高频信号的应用，确保在信号传输过程中不会产生显著的串扰或信号衰减。
高功率处理能力: 该产品的峰值脉冲功率可达 200W，这保证了其在瞬时高能量冲击条件下的可靠性，适合高要求的应用场景。
强大的温度承受能力: PESD3V3S5UD,115 可在 -65°C 至 150°C 的广泛工作温度范围内稳定运行，这使得该器件在不同的环境条件下均能保持良好性能。
紧凑的封装设计: 该产品采用 SC-74/SOT-457 表面贴装型封装，具有小型化和薄型化的优势。在空间有限的设计中，能够有效节约电路板面积。
多通道设计: PESD3V3S5UD,115 采用 5 单向通道设计，可以为多个信号提供保护，进一步简化电路设计，提升系统的可靠性。
应用领域
PESD3V3S5UD,115 适用于各种需要静电放电保护的应用场景，包括但不限于：
- 消费电子: 诸如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备，能够有效抵御使用过程中产生的静电放电，延长设备寿命。
- 通信设备: 在网络设备和通信基站中，可以保护信号通路和传输线的安全，确保通信的可靠性。
- 工业自动化: 适用于传感器、控制器等设备，防止静电对精密工业设备的影响，维护生产线的稳定运行。
- 汽车电子: 在汽车上的各种电子控制单元（ECU）中提供保护，确保在严酷环境下其功能的完整性。
结论
综上所述，PESD3V3S5UD,115 是一款高效、可靠的 ESD 保护二极管，凭借其卓越的电压保护特性、宽广的工作温度范围和优越的脉冲电流处理能力，满足现代电子设备对防护的严苛要求。无论是在设计新产品，还是在提升现有产品的可靠性，PESD3V3S5UD,115 都是一个值得考虑的解决方案。