AO4854 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4854

商品编码: BM0003120776
品牌 : 
AOS
封装 : 
SO-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 2W 30V 8A 2个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
1.25
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.25
--
200+
¥0.965
--
1500+
¥0.84
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4854参数

功率(Pd)2W商品分类场效应管(MOSFET)
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)19mΩ@8A,10V工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
栅极电荷(Qg@Vgs)18nC@10V漏源电压(Vdss)30V
类型2个N沟道输入电容(Ciss@Vds)888pF@15V
连续漏极电流(Id)8A阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA

AO4854手册

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AO4854概述

AO4854 产品概述

一、产品简介

AO4854 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其具有额定功率为 2W、额定电压为 30V 和额定电流为 8A 的优秀特性。该器件由 AOS(Alpha and Omega Semiconductor)公司设计和制造,采用 SO-8 封装,适用于多种高效能的开关电源和信号放大电路。

二、技术规格

  • 产品型号:AO4854
  • 类型:N 沟道 MOSFET
  • 封装:SO-8
  • 最大漏极-源极电压 (V_DS):30V
  • 最大漏极电流 (I_D):8A
  • 功耗:2W
  • 门极阈值电压 (V_GS(th)):通常在 2V 至 4V 之间
  • R_DS(on):具有非常低的导通电阻,确保在高负载条件下减少功耗和发热
  • 开关速度:适用于快速开关应用

三、产品特性

AO4854 的设计旨在满足现代电子设备需求,具备以下特性:

  1. 高效能:得益于其低 R_DS(on),AO4854 在导通状态下具备极低的电阻,从而显著降低了在电流流动时的功耗。这使得其在电源管理系统、马达驱动、DC-DC 转换器等应用中表现出色。

  2. 宽工作温度范围:AO4854可以在广泛的温度范围内稳定工作,符合多种应用场景的需求。

  3. 快速开关能力:其高开关速度使得 AO4854 在操作时可以快速响应,适合在高频应用中使用,提升了整体电路效率。

  4. SO-8 封装:该器件采用 SO-8 封装,在设计空间受限的环境中,仍能提供出色的电气性能。SO-8 封装也有助于提高散热性能,满足高负载情况下的散热需求。

四、应用领域

AO4854 广泛应用于以下几个领域:

  1. 开关电源:用作电源管理和电压调节模块,确保高效率的能量转换。

  2. 马达驱动:适用于直流电机和步进电机的驱动控制,实现精确的转速和位置控制。

  3. 电池管理系统:在充放电过程中用于保护和管理电池,确保安全有效的电源使用。

  4. LED 驱动器和照明:利用其精确的开关控制,有效驱动 LED 显示和照明系统。

  5. 通信设备:在 RF 和高速数据传输设备中,用于信号放大和开关控制。

五、总结

AO4854 N 沟道 MOSFET 是一种高效、灵活的电子元器件,适用于多种应用场景。其低电阻、高开关速度和优越的热性能,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础器件。选择 AO4854 可以帮助设计师提高产品的效率和可靠性,同时控制整体设计成本。无论是在开关电源、马达驱动还是电池管理系统中,AO4854 都能提供卓越的性能支持。