功率(Pd) | 2W | 商品分类 | 场效应管(MOSFET) |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@8A,10V | 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 18nC@10V | 漏源电压(Vdss) | 30V |
类型 | 2个N沟道 | 输入电容(Ciss@Vds) | 888pF@15V |
连续漏极电流(Id) | 8A | 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.4V@250uA |
AO4854 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其具有额定功率为 2W、额定电压为 30V 和额定电流为 8A 的优秀特性。该器件由 AOS(Alpha and Omega Semiconductor)公司设计和制造,采用 SO-8 封装,适用于多种高效能的开关电源和信号放大电路。
AO4854 的设计旨在满足现代电子设备需求,具备以下特性:
高效能:得益于其低 R_DS(on),AO4854 在导通状态下具备极低的电阻,从而显著降低了在电流流动时的功耗。这使得其在电源管理系统、马达驱动、DC-DC 转换器等应用中表现出色。
宽工作温度范围:AO4854可以在广泛的温度范围内稳定工作,符合多种应用场景的需求。
快速开关能力:其高开关速度使得 AO4854 在操作时可以快速响应,适合在高频应用中使用,提升了整体电路效率。
SO-8 封装:该器件采用 SO-8 封装,在设计空间受限的环境中,仍能提供出色的电气性能。SO-8 封装也有助于提高散热性能,满足高负载情况下的散热需求。
AO4854 广泛应用于以下几个领域:
开关电源:用作电源管理和电压调节模块,确保高效率的能量转换。
马达驱动:适用于直流电机和步进电机的驱动控制,实现精确的转速和位置控制。
电池管理系统:在充放电过程中用于保护和管理电池,确保安全有效的电源使用。
LED 驱动器和照明:利用其精确的开关控制,有效驱动 LED 显示和照明系统。
通信设备:在 RF 和高速数据传输设备中,用于信号放大和开关控制。
AO4854 N 沟道 MOSFET 是一种高效、灵活的电子元器件,适用于多种应用场景。其低电阻、高开关速度和优越的热性能,使其成为现代电子设计中不可或缺的基础器件。选择 AO4854 可以帮助设计师提高产品的效率和可靠性,同时控制整体设计成本。无论是在开关电源、马达驱动还是电池管理系统中,AO4854 都能提供卓越的性能支持。