二极管类型 | 肖特基 | 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 520mV @ 1A |
速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 150µA @ 40V |
不同 Vr、F 时电容 | 85pF @ 4V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-219AB | 供应商器件封装 | DO-219AB(SMF) |
工作温度 - 结 | 175°C(最大) |
SS1F4HM3/H 是一款高性能的肖特基二极管,由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)推出。该器件具有优良的电气特性,广泛应用于开关电源、充电器、逆变器和其他需要高效率整流的电路。本文将就其关键参数、应用场景以及其优势进行详细介绍。
二极管类型:SS1F4HM3/H 属于肖特基二极管,这种类型的二极管在正向导电时具有较低的导通电压和快速的恢复速度。
反向电压 (Vr):该器件的最大反向电压为 40V,使其适用于大多数中等电压应用,能够承受较高的反向电压而不会损坏。
平均整流电流 (Io):其平均整流电流可达 1A,使其能够在多个应用场合中可靠地工作。
正向电压 (Vf):在 1A 的工作电流下,正向电压仅为 520mV,极大地减少了功耗并提升了能量转换效率。
反向泄漏电流:在 40V 时的反向泄漏电流为 150µA,表示该器件在反向偏置状态下具有良好的隔离性能。
恢复速度:SS1F4HM3/H 具备快速恢复特性,恢复时间不超过 500ns,适合高频应用,能够改善电路的整体性能。
电容特性:在 4V、1MHz 下,电容值为 85pF,表明其在高频工作条件下的良好稳定性。
工作温度:器件的结温最高可达 175°C,使其在高温环境下依然能够稳定工作。
SS1F4HM3/H 采用 DO-219AB(SMF)封装,属于表面贴装类型。该封装设计使得二极管的安装更加便捷,适合自动化生产线,并在占用板面空间方面具有优势。
SS1F4HM3/H 肖特基二极管广泛应用于以下领域:
SS1F4HM3/H 肖特基二极管具有多个显著优势,包括低正向电压、快速恢复特性和高耐温性能,使其在各种电气应用中具备良好的竞争力。其低反向泄漏电流和高整流电流能力,确保了该器件在高频、电源转换等应用中都能够表现出色。
作为 VISHAY(威世)推出的一款高性能元器件,SS1F4HM3/H 代表了现代电子元器件的高效率和可靠性,能够满足设计工程师对性能和稳定性的严苛要求,是进行电子设备设计时的理想选择。通过选择 SS1F4HM3/H,设计师们可以更加容易地实现高效、可靠的电源管理和信号处理解决方案。
总之,SS1F4HM3/H 是集优异性能、良好热管理和高可靠性于一体的肖特基二极管,其在现代电子设计中的重要性不言而喻。