晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA(ICBO) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | EMT6 |
产品名称: EMH4T2R
品牌: ROHM(罗姆)
封装类型: EMT6(SOT-563/SOT-666 兼容)
晶体管类型: 双 NPN 预偏压式
EMH4T2R是ROHM公司提供的一款高性能双NPN晶体管,采用表面贴装技术,能够在紧凑的空间中提供卓越的电气性能。此产品专为各种数字和模拟电路应用设计,具有高电流增益和快速的开关特性,适合用于开关电源、放大器、信号处理及各类微控制器的驱动电路。
EMH4T2R的设计确保了出色的性能,适用于多种电路中:
EMH4T2R的广泛应用涵盖多个领域,包括但不限于:
在设计EMH4T2R相关电路时,需要注意:
EMH4T2R是一款高效、可靠的双NPN晶体管,适用于现代电子设备的多种应用。凭借其出色的集电极电流、较低饱和压降和高频率特性,EMH4T2R能够满足严苛的处理要求,是许多电子设计师的理想选择。ROHM凭借其卓越的制造能力和技术支持确保客户能够在设计中充分利用这些功能,使其在市场竞争中处于领先地位。