EMH4T2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

EMH4T2R

商品编码: BM0003111894
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT6
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 EMT-6
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.345
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.345
--
500+
¥0.231
--
4000+
¥0.2
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMH4T2R参数

晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 千欧
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装EMT6

EMH4T2R手册

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EMH4T2R概述

EMH4T2R 产品概述

产品名称: EMH4T2R
品牌: ROHM(罗姆)
封装类型: EMT6(SOT-563/SOT-666 兼容)
晶体管类型: 双 NPN 预偏压式

1. 产品简介

EMH4T2R是ROHM公司提供的一款高性能双NPN晶体管,采用表面贴装技术,能够在紧凑的空间中提供卓越的电气性能。此产品专为各种数字和模拟电路应用设计,具有高电流增益和快速的开关特性,适合用于开关电源、放大器、信号处理及各类微控制器的驱动电路。

2. 主要规格

  • 集电极电流(Ic)最大值: 100mA
  • 集射极击穿电压(Vce)最大值: 50V
  • 基极电阻(R1): 10kΩ
  • DC电流增益(hFE): 最小值为100(@ 1mA,5V)
  • Vce饱和压降: 最大值300mV(@ 1mA,10mA)
  • 集电极截止电流(ICBO)最大值: 500nA
  • 跃迁频率: 250MHz
  • 最大功率: 150mW
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: EMT6

3. 性能参数分析

EMH4T2R的设计确保了出色的性能,适用于多种电路中:

  • 电流增益: 在较低的电流条件下(如1mA),我们可以实现最低100的电流增益,显示出此晶体管在小信号放大应用中的优越性能。
  • 低Vce饱和压降: 饱和压降仅为300mV,意味着在开关模式下,能显著降低功耗,提升效率,特别适合对功耗要求严格的应用。
  • 高频特性: 250MHz的跃迁频率表明其能够支持高速开关操作,使其非常适合用于射频和微波应用,或需要快速信号处理的数字电路中。
  • 低截止电流: 500nA的集电极截止电流,使得该产品在低功耗应用中表现出色,比如便携设备和低功耗传感器。

4. 应用领域

EMH4T2R的广泛应用涵盖多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其高可靠性和出色的开关特性,适用于DC-DC转换器和各种电源管理电路。
  • 信号放大器: 在音频及射频电路中,能够作为放大器使用,提供良好的信号处理能力。
  • 驱动接口: 适合用于驱动继电器、 LED及其他负载,尤其是在对开关速度有要求的场合。
  • 微控制器应用: 在MCU的控制电路中,可以高效地驱动外部负载,实现控制和信号放大功能。

5. 设计考量

在设计EMH4T2R相关电路时,需要注意:

  • 充分考虑其最大Ic和Vce以避免工作在超出规格的条件下。
  • 选择合适的基极电阻以确保晶体管在所需的工作状态下稳定运行。
  • 设计电路时,应考虑热管理,特别是在长时间运行和高负载情况下,以防止过热影响元件性能。

6. 总结

EMH4T2R是一款高效、可靠的双NPN晶体管,适用于现代电子设备的多种应用。凭借其出色的集电极电流、较低饱和压降和高频率特性,EMH4T2R能够满足严苛的处理要求,是许多电子设计师的理想选择。ROHM凭借其卓越的制造能力和技术支持确保客户能够在设计中充分利用这些功能,使其在市场竞争中处于领先地位。