IRF7451TRPBF
IRF7451TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 90 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 990pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF7451TRPBF手册
IRF7451TRPBF概述
IRF7451TRPBF 产品概述
概述
IRF7451TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，设计用于电源管理、开关电路以及高效率的功率转换应用。作为 Infineon（英飞凌）的产品，IRF7451TRPBF 提供了优秀的电气特性和可靠性，使其成为现代电子设备中不可或缺的关键元器件之一。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 150V
IRF7451TRPBF 能够承受高达 150V 的漏极到源极电压，这使它适合于高压电源和工业设备的应用。连续漏极电流 (Id): 3.6A (在 25°C 时)
该 MOSFET 在 25°C 环境温度下，能够承载 3.6A 的连续电流，充分满足中等功率需求的应用。导通电阻 (Rds(on)): 最大 90 毫欧 @ 2.2A, 10V
IRF7451TRPBF 的导通电阻极低，意味着在导通状态下能量损耗很小，提高了电路的整体效率。栅极源电压 (Vgs): 最大 ±30V
此参数确保了该器件在工作时能够承受较高的栅极电压，从而提供更大的开关灵活性。栅极电荷 (Qg): 最大 41nC @ 10V
低栅极电荷意味着在操作频率较高的应用中，IRF7451TRPBF 可以快速开关，降低关断损耗。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
该 MOSFET 的宽工作温度范围使它适合于极端环境以及高温条件下的应用。功率耗散 (Pd): 最大 2.5W
IRF7451TRPBF 在其封装中能够处理的最大功率，符合其优良的热管理设计。
应用领域
由于 IRF7451TRPBF 的优越性能，它广泛应用于以下几个领域：
开关电源 (SMPS) - 在电压、功率和效率受限的情况下，该 MOSFET 能够实现高效的电源转换，适合桌面电源变换器、充电器等应用。
电机控制 - 其低的导通电阻和高的电流承载能力使 IRF7451TRPBF 非常适合用于驱动电动机，能够有效提升电机的启动和运行效率。
电源管理 IC - 在复杂的电源管理系统中，IRF7451TRPBF 可被用于控制高压和高电流的开关，支持各种功率分配方案。
LED 驱动器 - 在 LED 照明应用中，由于其快速开关特性，IRF7451TRPBF 可以帮助提升整体照明效率。
汽车电子 - 其极高的工作温度耐受性使得 IRF7451TRPBF 也成为汽车电源管理及控制系统中理想选择，能够满足汽车领域苛刻的工作环境。
机械特性
IRF7451TRPBF 采用表面贴装型（SMD）8-SOIC 封装，这种紧凑的封装方式不仅节省了PCB空间，而且有助于提高装配效率，适合自动化生产线。其封装尺寸为 0.154"（3.90 mm 宽），便捷的贴装与散热设计，确保了在高密度应用中的可靠性。
总结
IRF7451TRPBF 是一款卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其高压力耐受能力、出色的导通电阻及宽广的工作温度范围，能够支持多种应用场合。它是高性能电源管理系统的理想选择，也是现代电子条目中不可或缺的重要组件。选择 IRF7451TRPBF，您将体验到高效率、低功耗和卓越的电气性能，为您的设计增添竞争优势。