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IRFU210PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-251-3
包装 :
管装
重量 :
0.706g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 200V 2.6A 1个N沟道 TO-251-3
库存 :
2170(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.73按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.73
--
100+
￥2.18
--
750+
￥1.95
--
1500+
￥1.84
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFU210PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.6A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.2nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 140pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），25W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
IRFU210PBF手册
无数据
IRFU210PBF概述
IRFU210PBF 产品概述
概述
IRFU210PBF 是由 VISHAY (威世) 生产的一款 N 通道 MOSFET，专为高电压和高效率的应用而设计。该元件采用 TO-251-3 封装，具备良好的散热性能和稳定性，其漏源电压（Vdss）达到 200V，连续漏极电流（Id）为 2.6A。这款 MOSFET 的应用场景广泛，适用于电源管理、开关电源、音频放大器及其他要求高效、可靠的电子电路中。
基本参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压 (Vdss): 200V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A（在 Tc 条件下）
- 驱动电压: 10V 最大 Rds On，最小 Rds On
- 导通电阻: 在 10V 的驱动电压下，1.6A 时最大导通电阻为 1.5 欧姆
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4V (在 250µA 下)
- 栅极电荷 (Qg): 最大 8.2nC (在 10V 下)
- 最大 Vgs: ±20V
- 输入电容 (Ciss): 在 25V 下最大 140pF
- 功率耗散: 最大 2.5W (在 Ta 条件下)，最大 25W (在 Tc 条件下)
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C (TJ)
- 安装类型: 通孔
- 封装类型: TO-251AA
性能特点
IRFU210PBF 的设计专注于高性能和高可靠性。其最大漏源电压达到 200V，适用于高压电源电路，同时通过提供 2.6A 的电流，能够满足许多低到中功率应用的需求。此外，该 MOSFET 的最大导通电阻为 1.5 欧姆，确保在工作时有较低的能量损耗，从而提高电能的利用效率。
该型号的阈值电压最大为 4V，这使得其在低电压驱动下也能正常运作，从而扩展了应用的灵活性。其输入电容为 140pF，保证了快速开关能力，并在高频应用中提出了良好的性能。
应用场景
IRFU210PBF 可以广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 其高电压和高电流能力，使其非常适合用于开关电源设计，以提高能源转换效率并减少功耗。
- 电机驱动: 可用于驱动小型无刷电机或有刷电机，提供可靠的电源切换和控制能力。
- 音频放大器: 在音频放大器中，使用 IRFU210PBF 作为信号开关，可提高音频信号的质量和线性。
- 电池管理系统: 在电池管理和功率转换中，该 MOSFET 提供低损耗和高效率的解决方案。
- LED 驱动: 用于高功率 LED 驱动电路，提高产生的光输出与电源利用率。
总结
IRFU210PBF 是一款集高效能和高可靠性于一体的 N 通道 MOSFET，具有出色的电流承载能力和温度适应性，非常适合各类工程应用。它的设计满足了现代电子电路对高电流和高电压的需求，且其优异的导通性能使其在无人机、机器人、自动化控制等领域中越来越受欢迎。其完善的规格和性能使其成为电子设计中的优选组件之一。