FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 280 毫欧 @ 5.3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 19nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 570pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta),42W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRFR9024TRPBF 是一款高性能的 P 通道MOSFET,采用先进的金属氧化物半导体技术,具有优异的开关性能和高效能设计。作为 VISHAY(威世)旗下的优质产品,该器件广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器以及其他需要高效能开关的场合。
电流和电压等级:
低导通电阻:
门限电压与驱动要求:
快速切换特性:
温度范围与功率耗散:
封装与安装:
IRFR9024TRPBF 优越的性能使其广泛应用于多个领域,如:
IRFR9024TRPBF 是一款高效能的 P 通道 MOSFET,其具有宽广的电压和电流范围、低导通电阻、快速开关特性和稳定的高温工作能力,符合现代电子产品向高效、节能、稳定发展的趋势。作为 VISHAY(威世)产品线的一部分,其质量和可靠性得到了充分的认可,适合工程师们在各种应用场景中选用。设计师可以依赖 IRFR9024TRPBF 提供的高性能,优化电路设计,实现更高的能效和可靠性。
总之,IRFR9024TRPBF 是为追求性能与可靠性的电子产品设计师提供的理想选择。其全面的参数和出色的应用适应性,使其在激烈的市场竞争中,依然能够占据一席之地。