PBSS4540Z,115 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

PBSS4540Z,115

商品编码: BM0001378639
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SC-73-4
包装 : 
编带
重量 : 
0.138g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 40V 5A NPN SOT-223-4
库存 :
982(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.39
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.39
--
50+
¥1.07
--
1000+
¥0.893
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

PBSS4540Z,115参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)5A
电压 - 集射极击穿(最大值)40V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)355mV @ 500mA,5A
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)250 @ 2A,2V
功率 - 最大值2W频率 - 跃迁130MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223

PBSS4540Z,115手册

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PBSS4540Z,115概述

PBSS4540Z,115 产品概述

PBSS4540Z,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的高效能 NPN 晶体管,专为多种电子应用设计。该器件采用表面贴装形式(SMD),采用 SOT-223 封装(SC-73-4),易于在现代电子设备中实现高密度布局。

主要特性

  1. 电流与电压规格

    • 集电极电流(Ic)最大值:5A,适合大功率应用,能够处理较高的电流负载。
    • 集射极击穿电压(Vceo):最大 40V,为器件提供可靠的工作电压范围,适合高电压环境。
  2. 饱和压降

    • Vce 饱和压降: 355mV @ 500mA 和 5A,表明在高工作电流时,该器件的能量损耗较低,提升了整体效率。
  3. 直流电流增益(hFE)

    • 最小值: 250 @ 2A, 2V,确保在高电流下仍具备良好的放大效能,能够满足大多数信号放大应用的需求。
  4. 功率处理能力

    • 最大功率: 2W,支持多种功率配置,广泛适用于内置功率放大、开关电源和其他相关应用。
  5. 频率响应

    • 跃迁频率: 130MHz,显示出该晶体管具备较好的高频特性,适合对信号迅速响应的应用场景,如 RF 电路。
  6. 工作温度

    • TJ: 150°C,适应恶劣的工作环境,保证在高温条件下依然稳定工作。

应用领域

PBSS4540Z,115 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:

  • 开关电源:该晶体管的高集电极电流和较低的饱和压降,使其成为高效开关电源设计的理想选择。
  • 无线通讯:得益于较高的频率响应和增益特性,PBSS4540Z,115 可用于 RF 放大器和其他无线通讯设备中。
  • 电机驱动:该器件能够满足电机启动和运行中较高的电流需求,适合各类电机控制器中使用。
  • 传感器接口:在传感器应用中,良好的电流放大能力使其适合作为信号处理元件,确保有效的数据采集和处理。

封装与安装

PBSS4540Z,115 的 SOT-223 封装(SC-73-4)提供了小型化和轻量化的解决方案,符合现代电子设备的小型化趋势。其表面贴装类型(SMD)便于自动化生产,提高了组装效率,同时降低了生产成本。

总结

PBSS4540Z,115 是一款兼具高性能与高可靠性的 NPN 晶体管,其电流和电压能力使其在各种应用中表现出色。无论是用于电源管理、信号放大,还是在工业控制系统中,该器件均表现出了卓越的性能与灵活性。结合其较高的工作温度范围和优异的频率响应,使得 PBSS4540Z,115 在现代电子设计中成为极具吸引力的选择,为工程师们提供了丰富的设计可能性。