FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.9A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 32 毫欧 @ 6.9A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 905pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 6-TSOP |
封装/外壳 | SOT-23-6 |
IRLTS2242TRPBF 是一款P沟道MOSFET(场效应晶体管),由知名电子元器件制造商英飞凌(Infineon)生产。这款MOSFET因其优越的技术特点和广泛的应用场景,成为了电源管理、开关电路以及各种电子设备中的理想选择。以下将针对其主要规格、性能、应用及使用建议进行详细阐述。
IRLTS2242TRPBF 的主要参数如下:
IRLTS2242TRPBF 采用MOSFET技术,这使其在电流控制和开关应用中具有卓越的性能。该器件能够承受高达6.9A的连续漏电流,并在20V的漏源电压下稳定工作。其低导通电阻(32毫欧)确保了最低的功率损耗,这对于电源管理极其重要。此外,器件的阈值电压和栅极电荷特性也使得其在低电平信号下能够迅速开关,提高了系统的响应速度。
IRLTS2242TRPBF 可广泛应用于各种电子设备和电路中:
在实际应用中,应注意以下几点,以确保IRLTS2242TRPBF 的最佳性能:
总体而言,IRLTS2242TRPBF 是一款高效能的P沟道MOSFET,凭借其出色的电气性能和广泛的应用领域,成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在电源管理还是在其它电子控制应用中,利用该MOSFET能够有效提升设备的性能与可靠性。其精密的设计和适应性特征,使得这款产品在竞争激烈的市场中脱颖而出,成为设计工程师的首选之一。