SI4463BDY-T1-GE3

产品概述：SI4463BDY-T1-GE3

SI4463BDY-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（场效应管），专为需要低导通电阻和高电流处理能力的应用而设计。作为 VISHAY（威世）品牌的一员，该器件在可靠性、效率和多种工作条件下的适应性方面表现出色，广泛应用于电源管理、电压转换和电机驱动等领域。

主要特性：

1. 电气特性：

   • 该 MOSFET 的漏源电压（Vdss）为 20V，能够在典型的工作电压范围内稳定工作，适合低压应用。
   • 在 25°C 环境温度下，设备的连续漏极电流（Id）最高可达 9.8A，显著提升了电子设备的功率处理能力。

2. 导通电阻及驱动电压：

   • SI4463BDY-T1-GE3 的最小导通电阻（Rds On）为 11 毫欧 @ 13.7A，10V 的驱动电压下表现尤为优秀，适合大电流开关的场合。
   • 该器件支持的驱动电压范围宽，从 2.5V 至 10V，大大提高了其在不同工作环境和电路中的兼容性。

3. 阈值电压与栅极电荷：

   • 器件的阈值电压（Vgs(th)）最大为 1.4V @ 250µA，确保了在较低电压下即可开启，有利于提高开关效率。
   • 在 4.5V 时，栅极电荷（Qg）最大值为 56nC，这表明其开关速度快，适合用于高频率开关应用。

4. 工作温度范围和功率耗散：

   • SI4463BDY-T1-GE3 可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，展现出卓越的环境适应性。这使得该器件能够在极端条件下运行而不降低性能。
   • 最大功率耗散为 1.5W，这为应用的热管理提供了更多的灵活性。

5. 封装与安装：

   • 采用 8-SOIC 封装（0.154"，3.90mm 宽），该表面贴装型设计不仅节省了 PCB 空间，也提高了组装效率。SOIC 封装的紧凑性使得 SI4463BDY-T1-GE3 适用于各种现代电子设备。

应用场景： SI4463BDY-T1-GE3 在多个领域具有广泛的应用前景，包括但不限于：

• 电源管理：用于 DC-DC 转换器、开关电源等。
• 电机驱动：应用于步进电机或无刷电机的驱动电路中。
• 汽车电子：关键的电源开关控制，支持车载电子设备的高效运行。
• 消费电子产品：保证电子产品在高效和低功耗状态下的稳定工作。

总结： SI4463BDY-T1-GE3 作为一款高效、低导通电阻的 P 通道 MOSFET，凭借其适应各种环境的能力和强大的电流处理能力，在现代电子设备中占据重要地位。无论是在电源管理还是驱动应用上，SI4463BDY-T1-GE3 都是工程师们的理想选择，能够满足日益增长的市场需求和技术挑战。选择 VISHAY 的这款 MOSFET，将为您的设计带来更高的效率、更好的性能和更高的可靠性。