功率(Pd) | 70W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 125pF@50V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 85mΩ@10V,16A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.81nF@50V | 连续漏极电流(Id) | 18A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@16A |
NCE01P18K是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET),具有70W功率、100V的额定电压及18A的额定电流。这款MOSFET采用TO-252-2(DPAK)封装,旨在满足现代电子应用的多元化需求,尤其是在高电压和高电流的电源管理、开关电路及功率调节领域。作为NCE(新洁能)品牌的一员,NCE01P18K在技术和制造上都遵循国际先进标准,确保其在各种应用中的高效表现和可靠性。
高功率处理能力:该器件可承受最高70W的功率输出,适合用于需要高功率驱动的场合,如电源适配器、DC-DC转换器和马达驱动等。
优良的电气性能:具有最高100V的耐压能力和18A的连续导通电流,能够轻松满足多数电子设备对电流和电压的需求,同时确保设备在高负载下的稳定运行。
低导通电阻:NCE01P18K的低R_DS(on)特性可以显著减少在开关状态下的能量损耗,提高整体能效,使其在发热和散热控制方面表现优异。
快速开关特性:高效率的开关性能使其适合高频应用,快速的开关时间有助于降低开关损耗,并提供更高的系统响应速度。
简易的封装形式:TO-252-2(DPAK)封装减少了空间占用,便于在狭小的PCB设计中实现高密度布置,同时具备良好的散热性能,适合高功率应用需求。
NCE01P18K的特点使其能够广泛应用于多个领域,包括但不限于:
电源管理:作为高效的开关元件,NCE01P18K广泛应用于电源转换器、开关电源等电源管理电路,能有效提高电源的转换效率和性能。
电机驱动:在电动机驱动电路中,NCE01P18K能够实现快速和高效的电机开关控制,常见于无人机、电动工具和家用电器。
消费电子:在智能手机、平板电脑及其他消费电子产品中,NCE01P18K用作电源开关,以提高产品的能效及延长电池寿命。
太阳能逆变器:在可再生能源系统中,NCE01P18K作为逆变器的关键部分,在控制电源流向中发挥着关键的作用,确保系统稳定性与高效能。
作为一款卓越的P沟道MOSFET,NCE01P18K凭借其高功率、高电流及高电压性能,结合TO-252-2(DPAK)封装的独特优势,已成为多种电子设备和系统中不可或缺的关键组件。无论是在工业自动化、电源管理还是消费电子领域,NCE01P18K都能因其可靠性和优越的性能而大幅提升产品的整体性能,满足日益增长的市场需求,为设计师和工程师提供了多种灵活应用的可能性。
因此,NCE01P18K是您在寻找高效、可靠的P沟道MOSFET时的优质选择,帮助您在技术创新与产品开发中取得成功。