ZXMN3A14FTA
ZXMN3A14FTA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 448pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN3A14FTA手册
ZXMN3A14FTA概述
ZXMN3A14FTA 产品概述
ZXMN3A14FTA 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适合多种电子应用。它由美台（DIODES）公司生产，旨在提供优异的电性能、可靠性和效率，尤其在电源管理和功率开关领域表现突出。
基本特性与参数
漏源电压（Vdss）: ZXMN3A14FTA 具有最大漏源电压为 30V，使其适用于多种低压电源和信号开关的应用场合。
持续漏电流（Id）: 该器件支持在 25°C 时的连续漏电流达到 3.2A，可以满足许多功率控制和驱动应用的需求。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 65 毫欧，这意味着在开关状态时，该 MOSFET 能极大地降低功率损耗，提高整体功率转换效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 器件工作时，Vgs(th) 的最大值为 1V，保证了其在较低的栅压下有效开启，适合低电压驱动的应用场景。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 下的栅极电荷为 8.6nC，较低的栅极电荷使得该 MOSFET 具备快速开关能力，减少了开关损耗，适合高频切换应用。
输入电容（Ciss）: 在 15V 时，输入电容（Ciss）高达 448pF，提供良好的信号响应特性，使其能够在不同频率下表现稳定。
功率耗散: ZXMN3A14FTA 的最大功率耗散为 1W，确保在正常工作环境下具备良好的散热能力，延长器件的使用寿命。
工作温度范围: 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，可以满足严苛环境条件下的应用需求。
封装类型: 该 MOSFET 采用 SOT-23-3 表面贴装封装，体积小、易于集成，适合空间受限的电子产品。
应用领域
ZXMN3A14FTA MOSFET 主要应用于以下领域：
- 电源管理: 可用于开关电源、DC-DC 转换器及线性稳压器等电源设备中，保证高效电源转换。
- 马达驱动: 在电动机驱动电路中，该 MOSFET 可以为电机提供强大的驱动能力，实现高效控制。
- 信号开关: 在信号处理电路中，ZXMN3A14FTA 能够快速、精准地切换信号，适用于开关矩阵和逻辑电路。
- LED 驱动: 可用于高效的 LED 照明系统，帮助控制 LED 的工作状态，保证光源效率和亮度。
总结
ZXMN3A14FTA 是一款性能卓越、适用范围广泛的 N 通道 MOSFET，凭借其良好的电气性能、低功耗以及较高的工作温度范围，使其在现代电子设计中成为引导新应用的理想选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制领域，都能发挥出卓越的性能。对于设计师而言，选择 ZXMN3A14FTA 作为功率开关解决方案，无疑会提高整个电路的运作效率和可靠性。