1N5402G-T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

1N5402G-T

商品编码: BM0000974785
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
DO-201AD
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
通用二极管 1.1V@3A 200V DO-201AD
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.871
按整 :
圆盘(1圆盘有1200个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.871
--
100+
¥0.581
--
600+
¥0.528
--
12000+
产品参数
产品手册
产品概述

1N5402G-T参数

二极管类型标准电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200V
电流 - 平均整流 (Io)3A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 3A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)反向恢复时间 (trr)2µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5µA @ 200V不同 Vr、F 时电容40pF @ 4V,1MHz
安装类型通孔封装/外壳DO-201AD,轴向
供应商器件封装DO-201AD工作温度 - 结-65°C ~ 150°C

1N5402G-T手册

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1N5402G-T概述

1N5402G-T 产品概述

基本介绍

1N5402G-T是一款高性能标准二极管,专为通用电源整流应用而设计,广泛用于各种电子设备和电源电路中。该元器件可在高达200V的直流反向电压下工作,具有3A的平均整流电流能力,非常适合要求较高电流处理能力的场合。该产品由DIODES(美台)公司制造,采用DO-201AD封装,为用户提供了高可靠性与稳定性。

电子特性

1N5402G-T的主要特点包括:

  • 正向电压降(Vf): 在3A的工作电流下,1N5402G-T的正向电压降为1.1V。这一特性使得该二极管在整流应用中保持了较低的能量损耗,从而提高了整体效率。

  • 最大反向电压(Vr): 该二极管的最大直流反向电压为200V,能够承受高电压应用,非常适合用于电源整流、过压保护及其他高压电路。

  • 平均整流电流(Io): 1N5402G-T支持3A的平均整流电流,非常适合高功率的电源转换应用,如电源适配器、充电器等设备。

  • 反向恢复时间(trr): 反向恢复时间为2µs,尽管属于标准恢复类型,但对于多数日常应用而言已足够,在频率较低的AC信号和脉冲电源中表现良好。

  • 反向漏电流: 在200V的反向电压下,漏电流低至5µA,意味着在封闭状态下该二极管的功耗也很低,这为其在电池供电和低功耗应用中提供了便利。

  • 结温范围: 该产品的工作结温温度范围为-65°C至150°C,适应了各种严苛的工作环境,保证了长期稳定运行。

封装与安装

1N5402G-T采用DO-201AD封装形式,这是一种常见的轴向封装,方便通孔安装,适合大规模本地和远程组装。对于印刷电路板(PCB)设计师来说,DO-201AD封装的二极管方便与其他组件进行布线,能够有效地满足空间和布线的要求。

应用场合

1N5402G-T被广泛应用于以下几个方面:

  • 电源整流: 包括但不限于AC-DC电源转换电路,用于整流器桥堆。

  • 电池充电: 在电池充电器中充当整流器,确保在充电过程中提供稳定的电流。

  • 过载保护: 用于电路保护中的反向电压保护,防止设备因输入反向电压而导致损坏。

  • 其他高压直流应用: 适合于需要在高电压下进行整流或控制的各种电气设备。

结论

作为一款出色的通用二极管,1N5402G-T在多个电气和电子产品中发挥着重要的作用。凭借其高电压承受能力、适当的整流电流、低正向电压降以及广泛的工作温度范围,使其成为设计人员和工程师们的理想选择。无论是在传统的电源应用,还是新兴的高效电源转换领域,1N5402G-T都能提供优异的性能,显著提高产品的可靠性和效率。