PSMN013-30MLC,115

PSMN013-30MLC,115 产品概述

制造商与简介

PSMN013-30MLC,115是由Nexperia USA Inc.制造的一款高性能N通道MOSFET（场效应管）。作为先进的MOSFET技术领导者，Nexperia专注于提供创新且可靠的半导体解决方案，该产品在电源管理、驱动电路及其他要求高效开关的应用中发挥着重要作用。

产品规格

1. 基本信息

• 型号：PSMN013-30MLC,115
• 制造商：Nexperia USA Inc.
• 封装类型：LFPAK33
• 包装方式：卷带（TR）
• 器件状态：有源
• 产品封装：SOT-1210, 8-LFPAK33

2. 电气特性

• 场效应管类型：N通道
• 漏源电压 (Vdss)：30V
• 连续漏极电流 (Id)：39A @ 25°C (Tc)
• 工作温度范围：-55°C至175°C（TJ）
• 功率耗散 (Pd)：38W @ 25°C (Tc)
• 驱动电压：4.5V（最大 Rds On），10V（最小 Rds On）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻 (Rds(on))：最大值13.6毫欧 @ 10A，10V
• 栅极源阈值电压 (Vgs(th))：最大值1.95V @ 1mA
• 栅极电荷 (Qg)：最大值8nC @ 10V
• 输入电容 (Ciss)：最大值519pF @ 15V
• 栅源电压 (Vgs)：最大值±20V

3. 应用领域

PSMN013-30MLC,115 MOSFET设计用于多种电子应用，尤其是在高效能电源管理和电动机驱动领域。其高电流承载能力和低导通电阻使得它在开关电源、LED驱动、电池管理、DC-DC转换器和电动机控制电路中非常适合。由于其广泛的工作温度范围，这款MOSFET同样适用于汽车电子和工业应用，为用户提供了良好的灵活性和可靠性。

4. 性能特点

• 高效能：该MOSFET的低导通电阻确保在高电流下的低能量损耗，尤其在需要高频开关的应用中表现卓越。
• 优越的热性能：具备38W的功率耗散能力及高达175°C的工作温度范围，使其在严格的环境条件下也能稳定工作，适合于要求极端可靠性的场合。
• 敏感度与效率：具有1.95V的栅极阈值电压，保证了较低的控制电压需求，适于自动化和高效率电源应用。

5. 封装与布局

LFPAK33封装设计有助于优化散热，增强了MOSFET的总体性能。该表面贴装型设计使其在现代电子设备制造中适应贴片技术，对PCB空间利用效率有很大提升。

总结

PSMN013-30MLC,115是Nexperia推出的一款可靠且高效的N通道MOSFET，凭借其优越的电流承载能力和热性能，在诸多领域展现出极大的应用潜力。无论是在特殊环境下使用，还是在需要高功率转换的设备中，PSMN013-30MLC,115都能以其卓越的性能满足设计工程师的需求，是理想的选择。通过不断的技术创新，Nexperia致力于提供高质量的MOSFET产品，以支持未来电子产品的发展。