BUK9Y12-100E,115
BUK9Y12-100E,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 85A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 64nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7973pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 238W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
BUK9Y12-100E,115手册
BUK9Y12-100E,115概述
产品概述：BUK9Y12-100E,115
产品名称: BUK9Y12-100E,115
类型: N通道金属氧化物场效应管 (MOSFET)
封装: LFPAK-56-5
品牌: Nexperia（安世）
1. 产品概述
BUK9Y12-100E,115是一款高性能的N通道MOSFET，专为高电压和高电流应用设计，能够满足诸多工业、汽车及消费电子领域的需求。该器件在确保高效率的同时，凭借其优异的导通电阻和大功率耗散能力，为工程师提供了灵活的设计选项。
2. 主要参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的漏源电压可达到100V，适合用于高电压的开关和放大电路。
连续漏极电流 (Id): 在25°C的条件下，BUK9Y12-100E,115可以提供最多85A的连续漏极电流，这使其对于需要高电流承载能力的应用场景特别有用。
导通电阻 (Rds On): 在5V的栅极电压下，该器件的导通电阻在25A时不超过12毫欧，极大地降低了能量损耗，并提高了整体效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): BUK9Y12-100E,115的栅极阈值电压最大可达到2.1V@1mA，这确保其在低驱动电压下也能够正常工作，使其适合于低电压控制电路。
栅极电荷 (Qg): 在5V的栅极驱动下，该器件的栅极电荷最大为64nC，意味着在快速开关时，可以降低驱动电路的功耗和复杂性。
功率耗散: 该MOSFET能够在最高温度下承受238W的功率耗散，为高功率应用提供了可靠的性能。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保其在极端环境下依然能够稳定运行，适合汽车、工业和军用等严苛环境。
3. 应用领域
BUK9Y12-100E,115可广泛应用于以下几个领域：
电源管理（Power Management): 适用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理解决方案，其高电流和低Rds On特性保证了高效能和低发热。
电动汽车和混合动力汽车: 适用于汽车电源系统，例如电池管理系统和电动马达驱动控制，能够承受高电流并有效管理功率损耗。
消费电子产品: 因其优异的性能，该MOSFET适用于各类高效能的消费类电子产品，如声音放大器、照明控制等。
工业设备: 常用于电动机控制、大功率开关和自动化系统，其宽温范围也使其适合工业应用。
4. 封装信息
BUK9Y12-100E,115采用LFPAK-56-5封装，这是一个紧凑的表面贴装型设计，方便在实际应用中进行高密度布局。此封装具有良好的热管理能力，有助于提升器件在高负载条件下的可靠性。
5. 总结
BUK9Y12-100E,115是一款高效、可靠的N通道MOSFET，凭借其出色的电气特性和宽广的应用场景，成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在电源管理、电动汽车抑或工业设备中，这款MOSFET都能够提供优秀的性能，为设计师带来更多灵活性和创意空间。其来自于安世（Nexperia）品牌的质量保证，也为用户提供了额外的信心，使其成为行业内的优选产品。