工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 存储器格式 | DRAM |
电压 - 供电 | 1.14V ~ 1.95V | 时钟频率 | 533MHz |
存储容量 | 1Gb (32M x 32) | 存储器接口 | 并联 |
存储器类型 | 易失 | 安装类型 | 表面贴装型 |
技术 | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 | 写周期时间 - 字,页 | 15ns |
IS43LD32320C-18BLI-TR 是一款由美国芯成(ISSI)公司生产的高性能移动低功耗双数据率动态随机存取存储器(LPDDR2 SDRAM)。其设计实现了在极具挑战性的工作环境下的高效能存储,广泛应用于便携式设备如智能手机、平板电脑及其他嵌入式系统。此产品具有1Gb(32M x 32)容量,以提供合理的存储空间,同时保证了快速的数据访问速度和较低的功耗,特别适合有严格功耗和热管理要求的移动设备。
IS43LD32320C-18BLI-TR 实施了并行存储器接口设计,这种设计不仅简化了电路的复杂度,同时允许多个数据位的同时读写,提升了传输效率。作为一款易失性存储器,LPDDR2 SDRAM 需要持续供电以保持数据安全,同时以其低功耗特性,能够在节能方面表现出色。
该产品采用134-TFBGA封装(10x11.5mm),具有出色的散热性能和较小的体积,使得在紧凑空间中依然能够保证良好的散热表现,非常适合现代移动设备的设计要求。由于其写周期时间(字,页)为15ns,IS43LD32320C-18BLI-TR 提供了极低的延迟,确保快速响应和高效能的多任务处理能力。
IS43LD32320C-18BLI-TR,作为一款LPDDR2存储器,广泛应用于各种领域,包括但不限于:
IS43LD32320C-18BLI-TR 是一款多功能、可靠且高性能的移动LPDDR2 SDRAM存储器,其低功耗、高速度、大容量和宽工作温度范围的特性,使其在现代电子设备中具有显著竞争优势。随着智能手机、平板电脑和智能设备不断向更高性能发展,本产品无疑成为设计师和工程师在存储解决方案选择中的最佳伴侣。无论是追求极致性能还是能效,该器件均能以其卓越的性能帮助实现更出色的产品设计。