WNM2072-3/TR
WNM2072-3/TR参数
| 功率(Pd) | 670mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 8.3pF@10V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 220mΩ@4.5V,550mA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 870pC@4.5V |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50.6pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 710mA |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA |
WNM2072-3/TR手册
WNM2072-3/TR概述
产品概述：WNM2072-3/TR N沟道MOSFET
一、基本信息
WILLSEMI（韦尔半导体）推出的WNM2072-3/TR是一款高性能的N沟道场效应管（MOSFET），采用DFN1006-3L封装，具有270mW的功耗能力，能够承受20V的最大漏源电压和660mA的连续漏电流。这种设计使得WNM2072-3/TR适用于多种低功耗应用，尤其是在便携式电子设备和电源管理电路中。
二、主要特点
低功耗特性：WNM2072-3/TR具有270mW的最大功耗，使其在工作时产生的热量较低，能够提高系统的整体效率，特别适合电池供电的应用。
高承载能力：其660mA的最大漏电流能力使得这一元件适合于需要传导较大电流的电路，能够满足各种中等功率应用的需求。
可靠的电压承受：最大漏源电压20V的设计特点使得该MOSFET可以在各种电源电压下稳定工作，增强了产品在不同应用中的灵活性。
DFN1006-3L封装：该封装尺寸小，便于高密度电路设计，能够有效减少PCB的占用面积，同时提供良好的散热性能，优化在高温环境中的应用。
高效的开关性能：MOSFET技术的应用使得WNM2072-3/TR在开关频率高的应用中表现出色，能够快速响应开关信号，有效降低开关损耗。
三、应用领域
WNM2072-3/TR N沟道MOSFET适用于多种应用场景，包括但不限于：
DC-DC转换器：由于其高效的开关性能和低功耗设计，该MOSFET适合用于各种DC-DC转换器中，以提高能量转换效率。
电源管理：可用于电源管理IC中，并在充电和放电过程中提供高效的开关解决方案，特别是在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中。
电机驱动：在小型电机驱动电路中，WNM2072-3/TR能够稳定控制电流，提高电机运行效率，适合于玩具、电动工具等低功率电机。
开关电源：可应用于开关电源模块以及其他需要快速开关的电路中，优化整体性能并降低能耗。
LED驱动：在LED驱动电路中，能够有效控制LED的亮度和开启/关闭状态，提供更好的用户体验。
四、产品优势
WNM2072-3/TR N沟道MOSFET的设计高效而可靠，使其在竞争激烈的市场上具备显著优势。它的低功耗特性不仅延长了电池的使用寿命，还降低了散热要求。此外，其DFN封装的紧凑设计使得WNM2072-3/TR能够在空间有限的应用中广泛使用。
五、总结
WILLSEMI（韦尔）的WNM2072-3/TR N沟道MOSFET以其卓越的性能和多样化的应用领域，为客户提供了一种理想的解决方案。凭借高效的开关特性、可靠的电压承受能力以及低功耗设计，它无疑将成为各种电子产品中不可或缺的关键元件。在选择电源管理和信号调控方案时，WNM2072-3/TR将是一个出色的选择，帮助设计工程师实现高效、可靠和经济的电路设计。